[发明专利]功率半导体模块及其制造方法以及电力变换装置

权利要求书

1.一种功率半导体模块，具备：

多个引线端子，包括第1引线端子和离开所述第1引线端子设置的第2引线端子；

功率半导体芯片；

芯片电容器，包括第1电极和第2电极；

电子元件，种类与所述芯片电容器不同；以及

密封部件，密封所述功率半导体芯片、所述芯片电容器及所述电子元件，

所述功率半导体芯片被接合到所述多个引线端子的至少1个，

所述电子元件用第1导电性粘接部接合到所述第1引线端子，所述第1导电性粘接部以第1含有率包含导电性填充物，

所述芯片电容器的所述第1电极和所述第2电极用第2导电性粘接部分别接合到所述第1引线端子和所述第2引线端子，所述第2导电性粘接部以比所述第1含有率高的第2含有率包含所述导电性填充物。

2.一种功率半导体模块，具备：

多个引线端子，包括第1引线端子和离开所述第1引线端子设置的第2引线端子；

功率半导体芯片；

芯片电容器，包括第1电极和第2电极；

电子元件，种类与所述芯片电容器不同；以及

密封部件，密封所述功率半导体芯片、所述芯片电容器及所述电子元件，

所述功率半导体芯片被接合到所述多个引线端子的至少1个，

所述电子元件用第1导电性粘接部接合到所述第1引线端子，所述第1导电性粘接部包含第1导电性填充物，

所述芯片电容器的所述第1电极和所述第2电极用第2导电性粘接部分别接合到所述第1引线端子和所述第2引线端子，所述第2导电性粘接部包含第2导电性填充物，

所述第2导电性粘接部具备比所述第1导电性粘接部低的电阻率。

3.根据权利要求1或者2所述的功率半导体模块，其中，

所述第1导电性粘接部还包含由绝缘性无机材料构成的绝缘性粒子。

4.根据权利要求3所述的功率半导体模块，其中，

所述绝缘性粒子由从由二氧化硅、氧化铝以及氮化铝构成的群选择的1个以上的无机材料构成。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的功率半导体模块，其中，

所述第1引线端子包括第1贯通孔，

所述第2引线端子包括第2贯通孔，

所述第1贯通孔以及所述第2贯通孔用所述密封部件填充。

6.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，

所述第2含有率是75重量％以上。

7.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，

所述第1含有率是65重量％以下。

8.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，

所述导电性填充物由从由银、镍以及铜构成的群选择的1个以上的导电性材料构成。

9.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，

所述第1导电性填充物由从由银、镍以及铜构成的群选择的1个以上的导电性材料构成，

所述第2导电性填充物由从由银、镍以及铜构成的群选择的1个以上的导电性材料构成。

10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的功率半导体模块，其中，

与所述第1电极对置的所述第1引线端子的第1表面和与所述第2电极对置的所述第2引线端子的第2表面包含铜或者锡。

11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的功率半导体模块，其中，

所述第1电极和所述第2电极包含铜或者锡。

12.根据权利要求1至11中的任意一项所述的功率半导体模块，其中，

所述电子元件是整流用半导体芯片。