[发明专利]制造晶体管的方法

权利要求书

1.一种制造晶体管的方法，所述方法包含：

在半导体衬底上形成第一电介质层；

在所述第一电介质层上沉积阻挡层；

在所述阻挡层上沉积抗反射涂层；

沉积光致抗蚀剂层；

使所述光致抗蚀剂层中的图案暴露于辐射；

根据所述图案蚀刻所述光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中提供开口；

蚀刻所述光致抗蚀剂层中的所述开口下方的所述抗反射涂层的一部分；

蚀刻所述开口下方的所述阻挡层的一部分以暴露所述第一电介质层的一部分；

在蚀刻所述开口下方的所述阻挡层的所述部分之后提供环境氧化剂，以生长氧化物区域；

在提供所述环境氧化剂之后移除所述阻挡层；

在移除所述阻挡层之后将掺杂剂植入到所述半导体衬底中；

在将所述掺杂剂植入到所述半导体衬底之后移除所述第一电介质层；及

在移除所述第一电介质层之后形成第二电介质层，其中所述氧化物区域生长为比所述第二电介质层厚。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

形成浅沟槽隔离STI区域；及

形成第三电介质层，其中所述第三电介质层比所述第二电介质层厚。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

在所述第二电介质层上沉积第二光致抗蚀剂层；

使所述第二光致抗蚀剂层中的第二图案暴露于辐射；

根据所述第二图案蚀刻所述第二光致抗蚀剂层以在所述第二光致抗蚀剂层中提供开口；及

通过所述第二光致抗蚀剂层中的所述开口在所述第二电介质层上沉积导电材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包含：

在所述半导体衬底上形成所述第一电介质层之前，在所述半导体衬底上生长外延层。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包含：

在生长所述外延层之前，将掺杂剂植入到所述半导体中以形成n型掩埋层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中将掺杂剂植入到所述半导体中形成所述半导体衬底中的漏极区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述环境氧化剂包含使所述半导体衬底在高于900℃的温度下暴露于所述环境氧化剂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂包含氧气或蒸汽。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一及第二电介质层每一者包含二氧化硅。

10.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述环境氧化剂包含使所述氧化物区域生长到所述半导体衬底中及在所述半导体衬底上，达至少400埃的厚度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层具有在300埃到1000埃之间的厚度。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层包含氮化硅。

13.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述抗反射涂层的所述部分及所述开口下方的所述阻挡层包含等离子体反应离子蚀刻RIE。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述等离子体RIE包括使用氧气O₂、载气或氟碳化合物的气体混合物，所述氟碳化合物包含碳C、氢H及氟F，具有化学计量CxHyFz，其中x＝1或2；y＝0、1、2、3或4；及z＝1、2、3或4。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述气体包含氩气及氧气。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述阻挡层包含具有在300埃至1000埃之间的厚度的氮化硅。