[发明专利]用于控制中心到边缘压力改变的压力歪斜系统在审
申请号: | 201980030059.6 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN112074624A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | S·斯里瓦斯塔瓦 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/505 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制中心 边缘 压力 改变 歪斜 系统 | ||
1.一种系统,包括:
腔室盖;
腔室主体,所述腔室主体具有:
底座,所述底座设置于所述腔室主体中;
内衬垫,所述内衬垫耦合至泵送环,其中所述底座、所述内衬垫、所述泵送环以及所述腔室盖形成处理区域;以及
外衬垫,其中:
所述内衬垫和所述外衬垫形成具有入口和出口的泵送路径;并且
所述泵送环、所述内衬垫、所述外衬垫以及所述入口形成泵送区域;
两个或更多个壁,所述两个或更多个壁设置于所述泵送区域中,所述两个或更多个壁的相邻壁设置于所述泵送区域中,在所述泵送区域中形成泵送区;以及
多个供应管道,其中每一个供应管道流体地连接至所述泵送区中的对应的泵送区以及对应的流动控制装置,其中每一个流动控制装置经配置以控制提供至所述对应的泵送区的气体的流率,以控制所述处理区域的面积中的压力并且从所述处理区域经由所述出口排放工艺气体。
2.如权利要求1所述的系统,其中所述腔室主体的所述处理区域进一步由所述底座的边缘环来界定。
3.如权利要求2所述的系统,其中所述腔室主体的所述泵送区域进一步由间隔器环来界定。
4.如权利要求3所述的系统,其中所述泵送环、所述间隔器环、所述内衬垫以及所述外衬垫包括含有陶瓷的材料。
5.如权利要求3所述的系统,其中所述泵送环包括氧化铝(Al2O3),所述间隔器环包括6061铝合金,所述内衬垫包括Al2O3和6061铝合金中的至少一个,并且所述外衬垫包括6061铝合金。
6.如权利要求1所述的系统,其中孔洞穿过所述泵送环形成,以允许来自所述处理区域的所述工艺气体流经所述泵送区域和所述泵送路径。
7.如权利要求1所述的系统,其中泵送区中的每一个泵送区控制所述处理区域的多个面积中的一个面积,每一个面积对应于所述底座的表面的区域。
8.如权利要求1所述的系统,其中每一个供应管道连接至通道,所述通道穿过所述腔室主体的间隔器环设置,其中每一个通道通往所述泵送区域。
9.如权利要求1所述的系统,其中所述处理区域的所述面积中的所述压力影响所述处理区域中的所述工艺气体的水平速度。
10.一种腔室,包括:
腔室盖;
腔室主体,所述腔室主体具有:
底座,所述底座设置于所述腔室主体中;
内衬垫,所述内衬垫耦合至泵送环,其中所述底座、所述内衬垫、所述泵送环以及所述腔室盖形成处理区域;以及
外衬垫,其中:
所述内衬垫和所述外衬垫形成具有入口和出口的泵送路径;并且
所述泵送环、所述内衬垫、所述外衬垫以及所述入口形成一泵送区域;以及
压力歪斜系统,所述压力歪斜系统具有:
两个或更多个壁,所述两个或更多个壁设置于所述泵送区域中,所述两个或更多个壁中的相邻壁设置于所述泵送区域中,在所述泵送区域中形成泵送区;以及
多个供应管道,其中每一个供应管道连接至所述相邻壁的对应的泵送区以及对应的流动控制装置。
11.如权利要求10所述的腔室,其中每一个流动控制装置经配置以控制提供至所述对应的泵送区的惰性气体的流率,以控制所述处理区域的面积中的压力并且从所述处理区域经由所述出口排放工艺气体。
12.如权利要求11所述的腔室,其中孔洞穿过所述泵送环形成,以允许来自所述处理区域的所述工艺气体流经所述泵送区域和所述泵送路径。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的