[发明专利]量子计算信号线低温微波衰减器

权利要求书

1.一种装置，包括：

低温微波衰减器设备，所述低温微波衰减器设备包括壳体部件和微波衰减器芯片，所述壳体部件在1开氏度时具有约至少0.1瓦特每米开尔文的热导率；并且微波连接器，所述微波连接器包括信号导体，所述信号导体是直接导线耦合到所述微波衰减器芯片。

2.如权利要求1所述的装置，其中，所述壳体部件包括铜合金壳体材料。

3.如权利要求2所述的装置，其中该壳体部件镀有一种抗氧化材料。

4.如权利要求3所述的装置，其中所述抗氧化材料包括金。

5.如权利要求1所述的装置，其中，所述壳体部件包括基本上无氧的高导电率铜材料，所述高导电率铜材料在1开氏度时具有约至少0.1瓦特每米开尔文的热导率。

6.如权利要求1所述的装置，其中该壳体部件包括一种电解铜材料。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号导体包括连接器中心引脚，所述连接器中心引脚是经由一个或多个金线耦合到所述微波衰减器芯片的直接线。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述低温微波衰减器设备将与处于高于铝金属的超导临界温度的温度的稀释制冷板结合使用，以及其中所述信号导体包括连接器中心引脚，所述连接器中心引脚是经由一根或多根铝线耦合到所述微波衰减器芯片的直接线。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述微波连接器包括耦合到所述微波衰减器芯片的输入信号侧的第一微波连接器，并且还包括耦合到所述微波衰减器芯片的输出信号侧的第二微波连接器，并且其中所述第一微波连接器与所述第二微波连接器具有相同的极性。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述微波连接器包括耦合到所述微波衰减器芯片的输入信号侧的第一凹微波连接器，并且还包括耦合到所述微波衰减器芯片的输出信号侧的第二凹微波连接器。

11.权利要求1的装置，其中，该微波衰减器芯片包括电镀衬底，该电镀衬底经由紧固材料附连到该壳体部件，该紧固材料具有在1开氏度时约至少1瓦特每米开尔文的紧固材料热导率。

12.如权利要求11所述的装置，其中，所述紧固材料包括银环氧树脂。

13.一种装置，包括：

包含微波信号衰减器芯片的外壳部件，所述外壳部件包括金属，所述金属在1开氏度时具有约至少1瓦特每米开尔文的热导率；

机械地耦合到所述壳体部件的第一子部件，所述第一子部件包括第一微波连接器，所述第一微波连接器具有电耦合到所述微波信号衰减器芯片的输入侧的第一微波信号导体；并且

机械地耦合到所述壳体部件的第二子部件，所述第二子部件包括第二微波连接器，所述第二微波连接器具有电耦合到所述微波信号衰减器芯片的输出侧的第二微波信号导体。

14.如权利要求13所述的装置，其中，所述壳体部件包括镀有耐氧化材料的铜合金壳体部件。

15.如权利要求13所述的设备，其中所述第一微波信号导体包括连接器中心引脚，所述连接器中心引脚是经由一根或多根导线耦合到所述微波信号衰减器芯片的所述输入侧的直接导线。

16.如权利要求13所述的装置，其中所述第一微波连接器包括阴性微波连接器，并且所述第二微波连接器包括另一阴性微波连接器。

17.如权利要求13所述的设备，其中，该壳体部件经由紧固材料耦合到该微波信号衰减器芯片的电镀衬底，该紧固材料具有在1开氏度时约至少0.1瓦每米开尔文的紧固材料热导率。