[发明专利]基板变形检测和校正

权利要求书

1.一种用于基板处理的方法，包括：

在第一工艺腔室中生成等离子体，同时将基板定位在所述第一工艺腔室中；

基于在所述第一工艺腔室中的多个传感器来生成所述基板的指纹；

将所述指纹与多个存储的指纹模型进行比较，以确定所述基板是否变形；以及

基于确定所述基板是变形的，选择用于所述基板的基板处理程序以校正所述基板变形。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一工艺腔室中执行所选择的基板处理程序；以及

响应于执行所选择的基板处理程序，校正所述基板变形。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包括：

在校正所述基板变形之后，将所述基板传送到第二工艺腔室，所述第二工艺腔室经由传送腔室耦合到所述第一工艺腔室；以及

在所述第二工艺腔室中执行第二操作。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

将所述基板传送到第二工艺腔室；

在所述第二工艺腔室中执行所选择的基板处理程序；以及

响应于执行所选择的基板处理程序，校正所述基板变形。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述多个传感器被配置为检测低频反射功率或高频反射功率。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述基板变形是压缩弯曲或拉伸弯曲中的一者，并且每个指纹模型与压缩弯曲或拉伸弯曲相关联。

7.一种用于基板处理的方法，包括：

生成定位在第一工艺腔室中的基板的指纹；

将所述指纹与多个存储的指纹模型进行比较，其中每个指纹模型与所述基板的弯曲的种类相关联；以及

基于所述比较来选择用于所述基板的基板处理程序，以校正基板弯曲。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括：基于在所述第一工艺腔室中的多个传感器来生成所述指纹，所述多个传感器被配置为检测低频反射功率或高频反射功率以确定所述基板弯曲。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述第一工艺腔室中执行所选择的基板处理程序；以及

响应于执行所选择的基板处理程序，校正所述基板弯曲。

10.如权利要求7所述的方法，进一步包括：

将所述基板传送到第二工艺腔室；

将所述基板设置在所述第二工艺腔室中的基板支撑件上；

在所述第二工艺腔室中执行所选择的基板处理程序；以及

响应于执行所选择的基板处理程序，校正所述基板弯曲。

11.如权利要求12所述的方法，进一步包括：

在校正所述基板弯曲之后，在所述第二工艺腔室中执行第二操作，其中所述第二操作包括沉积、蚀刻或清洁。

12.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质被配置为执行指令以使系统进行以下操作：

在第一工艺腔室中生成等离子体，基板被定位在所述第一工艺腔室中；

基于在所述第一工艺腔室中的多个传感器来生成所述基板的指纹，所述多个传感器被配置为检测低频反射功率或高频反射功率；

将所述指纹与多个存储的指纹模型进行比较，以确定所述基板是否变形；以及

基于确定所述基板是变形的，选择用于所述基板的基板处理程序，以校正基板变形。

13.如权利要求15所述的计算机可读存储介质，进一步包括所述系统被配置成进行以下操作：

在所述第一工艺腔室中执行所选择的基板处理程序；以及

响应于执行所选择的基板处理程序，校正所述基板变形。