[发明专利]半导体装置和电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一配线部；

第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜覆盖所述第一配线部的一个表面侧；

第一电极部，所述第一电极部设置在在所述第一层间绝缘膜中设置的第一通孔内，所述第一电极部电连接至所述第一配线部；

第二配线部；

第二层间绝缘膜，所述第二层间绝缘膜覆盖所述第二配线部的面向所述第一配线部的表面侧；和

第二电极部，所述第二电极部设置在在所述第二层间绝缘膜中设置的第二通孔内，所述第二电极部电连接至所述第二配线部；其中，

所述第一电极部和所述第二电极部彼此直接接合，并且，

所述第一电极部的热膨胀系数大于所述第一配线部的热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一配线部包含第一金属，并且，

所述第一电极部包含含有所述第一金属和第二金属的合金。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，进一步包括：

第一种子层，所述第一种子层设置在所述第一通孔内并且与所述第一电极部接触，其中，

所述第一种子层包含所述第二金属。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第二电极部的热膨胀系数大于所述第二配线部的热膨胀系数。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第二配线部包含第三金属，并且，

所述第二电极部包含含有所述第三金属和第四金属的合金。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，进一步包括：

第二种子层，所述第二种子层设置在所述第二通孔内并且与所述第二电极部接触，其中，

所述第二种子层包含所述第四金属。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：

第一阻挡层，所述第一阻挡层设置在所述第一通孔内并且位于所述第一配线部与所述第一电极部之间，所述第一阻挡层具有导电性。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：

第二阻挡层，所述第二阻挡层被设置在所述第二通孔内并且位于所述第二配线部与所述第二电极部之间，所述第二阻挡层具有导电性。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一配线部包括第一金属，

所述第一电极部包含含有所述第一金属和第二金属的合金，

所述第二配线部包括第三金属，

所述第二电极部包含含有所述第三金属和第四金属的合金，并且

所述第一金属和所述第三金属由相同的元素构成。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述第二金属和所述第四金属由相同的元素构成。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：

第一基板；和

第二基板，所述第二基板被布置成面向所述第一基板的一个表面，其中，

所述第一电极部被设置在所述第一基板的一个表面侧，并且

所述第二电极部被设置在所述第二基板的面向所述第一基板的表面侧。

12.一种电子设备，包括：

第一配线部；

第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜覆盖所述第一配线部的一个表面侧；

第一电极部，所述第一电极部设置在在所述第一层间绝缘膜中设置的第一通孔内，所述第一电极部电连接至所述第一配线部；

第二配线部；

第二层间绝缘膜，所述第二层间绝缘膜覆盖所述第二配线部的面向所述第一配线部的表面侧；和

第二电极部，所述第二电极部设置在在所述第二层间绝缘膜中设置的第二通孔内，所述第二电极部电连接至所述第二配线部；其中，

所述第一电极部和所述第二电极部彼此直接接合，并且，

所述第一电极部的热膨胀系数大于所述第一配线部的热膨胀系数。