[发明专利]用于确定与计算光刻掩模模型相关联的电磁场的方法有效

专利信息
申请号: 201980030845.6 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN112236722B 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 彭星月;刘晶晶 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王益
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 确定 计算 光刻 模型 相关 电磁场 方法
【权利要求书】:

1.一种用于确定与图案化过程的掩模模型相关联的电磁场的方法,所述方法包括:

利用硬件计算机系统,获得关注的掩模叠层区和与所述关注的掩模叠层区相对应的相互作用阶数,所述关注的掩模叠层区被划分成多个子区,所述关注的掩模叠层区具有与电磁波穿过所述关注的掩模叠层区的传播相关联的一个或更多个特性;

利用所述硬件计算机系统,基于麦克斯韦方程和量子薛定谔方程来产生一个或更多个电磁场确定表达式;以及

通过所述硬件计算机系统,使用所述一个或更多个电磁场确定表达式,基于所述关注的掩模叠层区的所述子区和与电磁波穿过所述关注的掩模叠层区的传播相关联的所述一个或更多个特性来确定与所述关注的掩模叠层区相关联的电磁场,

其中产生所述一个或更多个电磁场确定表达式包括:重新公式化所述麦克斯韦方程以与所述量子薛定谔方程相对应,使得穿过所述关注的掩模叠层区的方向的方向坐标替换所述量子薛定谔方程的时间坐标。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:确定与电磁波穿过所述关注的掩模叠层区的传播相关联的所述一个或更多个特性中的第一特性,所述第一特性基于所述子区来确定,所述第一特性与电磁波沿第一方向穿过所述关注的掩模叠层区的传播相关联。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一方向是“z”方向,和/或

其中所述第一特性包括与所述子区相对应的薄膜叠层配置积分(I)。

4.根据权利要求1所述的方法,还包括:确定与电磁波穿过所述关注的掩模叠层区的传播相关联的所述一个或更多个特性中的第二特性,所述第二特性基于所述子区来确定,所述第二特性与电磁波沿第二方向和第三方向穿过所述关注的掩模叠层区的传播相关联。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述第二方向是“x”方向且所述第三方向是“y”方向,和/或

其中所述第二特性包括与所述子区相对应的元素传播矩阵(K)。

6.根据权利要求1所述的方法,其中确定与所述关注的掩模叠层区相关联的所述电磁场包括:确定针对所述关注的掩模叠层区的掩模傅立叶变换,和/或

其中所述子区是所述关注的掩模叠层区的截块,和

其中所述截块沿所述关注的掩模叠层区的“z”方向而形成。

7.根据权利要求6所述的方法,其中确定与所述关注的掩模叠层区相关联的所述电磁场还包括:确定针对多个单独的截块的传播函数(Si),所述传播函数基于所述掩模傅立叶变换和与电磁波穿过所述关注的掩模叠层区的传播相关联的所述一个或更多个特性来确定。

8.根据权利要求7所述的方法,其中确定与所述关注的掩模叠层区相关联的所述电磁场还包括:基于所述传播函数来确定前向(P+)传播投影算子和后向(P-)传播投影算子。

9.根据权利要求8所述的方法,其中确定与所述关注的掩模叠层区相关联的所述电磁场还包括:将针对多个单独的截块的传播函数聚合以确定组合传播函数(S)。

10.根据权利要求9所述的方法,其中确定与所述关注的掩模叠层区相关联的所述电磁场还包括:确定多层传播函数(S0),和/或

其中确定与所述关注的掩模叠层区相关联的所述电磁场还包括:基于多层传播函数来确定本征模式投影算子。

11.根据权利要求10所述的方法,其中确定与所述关注的掩模叠层区相关联的所述电磁场还包括使用以下各项来确定透射值(T)或反射值(R):

(i)所述传播投影算子和所述组合传播函数;或

(ii)所述传播投影算子、所述组合传播函数、和所述本征模式投影算子,和/或

其中针对与深紫外线系统相关联的关注的掩模叠层区来确定所述透射值,并且针对与极紫外线系统相关联的关注的掩模叠层区来确定所述反射值。

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