[发明专利]背面入射型半导体光检测装置

权利要求书

1.一种背面入射型半导体光检测装置，其特征在于，包括：

光检测基板，其具有包括彼此对置的第一主面和第二主面的半导体基板，并且具有在所述半导体基板上二维排列的多个像素；和

电路基板，其与所述光检测基板连接，并且具有对来自对应的所述像素的输出信号进行处理的多个信号处理部，

所述光检测基板在每个所述像素具有：

多个雪崩光电二极管，其分别具有设置于所述半导体基板的所述第一主面侧的受光区域，并且以盖革模式进行动作；

多个灭弧电阻，其配置于所述半导体基板的所述第一主面侧，并且与对应的所述雪崩光电二极管串联地电连接；和

焊盘电极，其配置于所述半导体基板的所述第一主面侧，并且与所述多个灭弧电阻电连接，

所述多个雪崩光电二极管的所述受光区域在每个所述像素中二维排列，

在所述半导体基板形成有在所述第一主面开口的沟槽，

从与所述第一主面正交的方向观察时，所述沟槽在每个所述像素包围包含所述受光区域的至少一个区域，

各所述信号处理部是通过对应的所述焊盘电极而与所述多个雪崩光电二极管电连接，并且输出与来自所述多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号的前置电路，

所述电路基板所具有的所述多个信号处理部的数量比各所述像素中的所述受光区域的数量多，

由各所述像素中的所述沟槽包围的区域的数量为该像素中的所述受光区域的数量以下，

所述第二主面是向所述半导体基板入射的光的入射面。

2.根据权利要求1所述的背面入射型半导体光检测装置，其特征在于：

所述沟槽贯通所述半导体基板，在所述第二主面开口。

3.根据权利要求1或2所述的背面入射型半导体光检测装置，其特征在于：

所述焊盘电极以从与所述第一主面正交的方向观察时与所述像素所具有的所述多个雪崩光电二极管全部重叠的方式配置于所述第一主面侧。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的背面入射型半导体光检测装置，其特征在于：

从与所述第一主面正交的方向观察时，所述沟槽在每个所述像素包围形成有该像素的区域。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的背面入射型半导体光检测装置，其特征在于：

从与所述第一主面正交的方向观察时，所述沟槽在每个所述像素包围各所述受光区域。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的背面入射型半导体光检测装置，其特征在于：

各所述信号处理部具有通过对应的所述焊盘电极而与所述多个雪崩光电二极管电连接，并且输出与来自所述多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号的电流镜电路。

7.根据权利要求6所述的背面入射型半导体光检测装置，其特征在于：

各所述信号处理部还具有插入于对应的所述焊盘电极与所述电流镜电路之间，并且通过对应的所述焊盘电极输入来自所述多个雪崩光电二极管的输出信号的栅极接地电路，

所述电流镜电路中输入来自所述栅极接地电路的输出信号。

8.根据权利要求6或7所述的背面入射型半导体光检测装置，其特征在于：

各所述信号处理部还具有输入来自所述电流镜电路的输出信号的比较器。