[发明专利]使用电压和电流测量来控制双区陶瓷基座在审
申请号: | 201980031128.5 | 申请日: | 2019-05-02 |
公开(公告)号: | CN112106181A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 亚伦·德宾;拉梅什·钱德拉塞卡拉;德克·鲁道夫;托马斯·G·朱厄尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/66 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 电压 电流 测量 控制 陶瓷 基座 | ||
1.一种用于衬底处理系统的控制器,所述控制器包括:
电阻计算模块,其被配置为:(i)接收分别与衬底支撑件的第一加热器元件和第二加热器元件相对应的第一电流和第二电流,(ii)接收分别与所述第一加热器元件和所述第二加热器元件相对应的第一电压和第二电压,(iii)基于所述第一电压和所述第一电流计算所述第一加热器元件的第一电阻,并且(iv)基于所述第二电压和所述第二电流计算所述第二加热器元件的第二电阻;和
温度控制模块,其被配置为分别基于所述第一电阻和所述第二电阻以及相应的在(i)所述第一电阻和所述衬底支撑件的第一区域的第一温度之间的关系和在(ii)所述第二电阻和所述衬底支撑件的第二区域的第二温度之间的关系来分开控制提供给所述第一加热器元件和所述第二加热器元件的功率。
2.根据权利要求1所述的控制器,其中,所述电阻计算模块还被配置为:(i)基于所述第一电压和所述第一电流,计算与所述第一加热器元件相关联的第一功率;以及(ii)基于所述第二电压和所述第二电流计算与所述第二加热器元件相关联的第二功率。
3.根据权利要求1所述的控制器,其还包括温度计算模块,所述温度计算模块被配置为:(i)基于所述第一电阻来计算所述衬底支撑件的第一区域的所述第一温度,以及(ii)基于所述第二电阻来计算所述衬底支撑件的第二区域的所述第二温度,其中,为了基于所述第一电阻和所述第二电阻来控制所述功率,所述温度控制模块被配置为分别基于所述第一温度和所述第二温度控制提供给所述第一加热器元件和所述第二加热器元件的所述功率。
4.根据权利要求3所述的控制器,其中,所述温度计算模块还被配置为基于所述第一加热器元件和所述第二加热器元件的材料的热阻系数来计算所述第一温度和所述第二温度。
5.根据权利要求4所述的控制器,其中,所述材料具有至少1.0%的热阻系数。
6.根据权利要求4所述的控制器,其中,所述温度计算模块存储使所述材料的电阻与所述材料的相应温度相关联的数据,并且其中,所述温度计算模块被配置为进一步基于所存储的所述数据来计算所述第一温度和所述第二温度。
7.根据权利要求6所述的控制器,其中,所存储的所述数据包括转换表。
8.根据权利要求7所述的控制器,其中,所述温度计算模块被配置为:(i)基于所述第一区域和所述第二区域中的至少一者的多个测得的温度与所述第一区域和所述第二区域的多个计算出的温度之间的差来计算校正因子,以及(ii)基于所述校正因子来修改所述转换表的输出。
9.根据权利要求3所述的控制器,其中,所述温度计算模块被配置为在原子层沉积工艺期间计算所述第一温度和所述第二温度。
10.根据权利要求3所述的控制器,其中,所述温度控制模块还被配置为响应于导致所述第一电阻的变化的在所述第一区域中的热负荷的变化,调节提供给所述第一加热器元件的所述功率。
11.根据权利要求3所述的控制器,其中,所述温度控制模块还被配置为调节提供给所述第一加热器元件和所述第二加热器元件的所述功率,使得所述第一温度和所述第二温度不同。
12.一种衬底处理系统,其包括:
根据权利要求1所述的控制器;和
所述衬底支撑件,
其中,所述控制器还被配置为控制对布置在所述衬底支撑件上的衬底执行的原子层沉积工艺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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