[发明专利]提供等离子体原子层沉积的方法

权利要求书

1.一种在衬底上沉积层的方法，其包括：

在所述衬底上沉积多个等离子体原子层沉积(ALD)层，其中，以第一RF功率沉积所述多个ALD层中的每个等离子体ALD层；以及

使所述多个等离子体ALD层致密化，其包括使用大于所述第一RF功率的第二RF功率产生致密化等离子体，其中使所述多个等离子体ALD层中的至少一个致密化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述多个等离子体ALD层致密化使所述多个等离子体ALD层中的全部致密化。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述衬底上沉积所述多个等离子体ALD层使至少五个等离子体ALD层沉积。

4.根据权利要求2所述的方法，其中在所述衬底上沉积所述多个等离子体ALD层使至少十个等离子体ALD层沉积。

5.根据权利要求4所述的方法，其中来自所述致密化等离子体的离子不到达所述衬底。

6.根据权利要求2所述的方法，其中来自所述致密化等离子体的离子不到达所述衬底。

7.根据权利要求2所述的方法，其还包括：使用大于所述第一RF功率的第三RF功率在致密化的所述多个等离子体ALD层之上提供多个等离子体ALD层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述使用大于所述第一RF功率的第三RF功率在致密化的所述多个等离子体ALD层上提供多个等离子体ALD层包括：

使前体流动以形成前体层；

停止所述前体的流动；

提供转化气体；

以所述第三RF功率提供RF功率以使所述转化气体形成等离子体，该等离子体将所述前体层转化；以及

停止所述转化气体的流动。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一RF功率在约500到1000瓦之间。

10.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积所述多个ALD层使所述多个ALD层沉积至约10至厚的厚度。

11.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述衬底上沉积所述多个等离子体ALD层使多个氧化硅层沉积。

12.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述衬底上沉积所述多个等离子体ALD层包括多个循环，其中每个循环包括：

使前体流动以形成前体层；

停止所述前体的流动；

提供转化气体；

以所述第一RF功率提供RF功率以使所述转化气体形成等离子体，该等离子体使所述前体层转化；以及

停止所述转化气体的流动。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述多个循环被重复至少五次。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述前体气体是含硅烷的气体。

15.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二RF功率是所述第一RF功率的至少五倍。

16.根据权利要求2所述的方法，其还包括确定在所述第二RF功率下的等离子体穿透深度。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述转化气体包括N₂O、He、O₂或Ar中的至少一种。

18.根据权利要求2所述的方法，其中，所述使所述多个等离子体ALD层致密化包括：

提供致密化气体；以及

通过以所述第二RF功率提供RF功率，由所述致密化气体形成等离子体。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述致密化气体包括H₂、N₂、Ar、N₂O、O₂或He中的至少一种。