[发明专利]成膜装置和成膜方法

权利要求书

1.一种通过等离子体ALD在具有凹部的基片上形成规定的膜的成膜装置，其特征在于，包括：

收纳基片的腔室；

在所述腔室内支承基片的载置台；

与所述载置台相对地设置的喷淋头，其具有导电性的上部电极和与该上部电极绝缘的导电性的喷淋板，所述上部电极具有气体导入孔，能够经由所述气体导入孔对位于所述上部电极与所述喷淋头之间的气体扩散空间供给包含用于成膜的成膜原料气体和反应气体的气体，将该气体导入所述腔室内；

包含于所述载置台的电极；

与所述上部电极连接的第一高频电源；

与所述载置台内的所述电极连接的第二高频电源；

控制部；以及

存储有处理方案的存储介质，

所述控制部通过执行所述处理方案来进行控制，以使得：

A，对所述基片间歇地供给所述成膜原料气体，使所述成膜原料气体吸附在所述基片；

B，在不供给所述成膜原料气体的期间，主要将通过用第一电容耦合等离子体使所述反应气体解离而得到的反应气体的自由基供给到所述基片，其中，所述第一电容耦合等离子体通过从所述第一高频电源对所述上部电极供给高频电功率而在所述气体扩散空间中生成；

C，通过交替地实施所述A和所述B而使所述自由基与吸附于所述基片的所述成膜原料气体反应，由此在所述基片上形成规定的膜；

D，在所述C的中途的规定的时间，与所述第一电容耦合等离子体独立地生成使形成于所述基片的膜主要通过离子促进而被蚀刻的第二电容耦合等离子体，其中，所述第二电容耦合等离子体通过从所述第二高频电源对所述电极供给高频电功率而在所述喷淋板与所述载置台内的所述电极之间生成。

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

代替所述第一高频电源或除所述第一高频电源之外，具有对所述上部电极施加DC脉冲的DC脉冲施加部。

3.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述第一电容耦合等离子体在所述喷淋头内的气体扩散空间内作为远程等离子体而形成，通过了所述喷淋板的主要为反应气体的自由基，被供给至所述基片。

4.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

还包括设置于所述喷淋板的正下方的离子阱，其能够除去通过所述喷淋板的所述第一电容耦合等离子体中的离子。

5.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述喷淋板接地。

6.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述喷淋板与接地线连接，还包括设置于所述接地线的阻抗调整电路。

7.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

还包括与所述载置台内的所述电极连接的第三高频电源，其具有对所述基片施加高频偏压的功能。

8.一种通过等离子体ALD在具有凹部的基片上形成规定的膜的成膜方法，其特征在于，包括：

工序A，对基片间歇地供给成膜原料气体，使所述成膜原料气体吸附在所述基片；

工序B，在不供给所述成膜原料气体的期间，主要将通过用第一电容耦合等离子体使反应气体解离而得到的反应气体的自由基供给到所述基片；

工序C，通过交替地实施所述工序A和所述工序B而使所述自由基与吸附于所述基片的所述成膜原料气体反应，由此在所述基片上形成规定的膜；以及

工序D，在所述工序C的中途的规定的时间，与所述第一电容耦合等离子体独立地生成第二电容耦合等离子体，其中所述第二电容耦合等离子体使形成于所述基片的膜通过离子促进而被蚀刻。

9.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于：

通过供给所述成膜原料气体，使成膜原料气体吸附在所述基片，使利用所述第一电容耦合等离子体生成的主要为所述反应气体的自由基与吸附于所述基片的所述成膜原料气体反应。