[发明专利]多孔区域结构及其制造方法

权利要求书

1.一种多孔区域结构，包括：

基板；

在所述基板上方的第一金属层；

由所述第一金属层的阳极氧化部分构成的多孔区域，所述多孔区域包括阳极氧化物，所述阳极氧化物具有从所述多孔区域的顶表面朝向所述基板延伸的多个孔；以及

在所述第一金属层和所述多孔区域上方的硬掩模，所述硬掩模具有在所述多孔区域的限定区域的上方的开口，被构造成使得所述硬掩模覆盖所述多孔区域的所述多个孔中的横向孔。

2.根据权利要求1所述的多孔区域结构，还包括：

在所述第一金属层的顶部上的阳极氧化硬掩模，所述阳极氧化硬掩模具有在所述多孔区域的阳极氧化区域上方的开口，

其中，所述阳极氧化区域的边缘与所述限定区域的对应边缘之间的距离与所述第一金属层的被阳极氧化以形成所述多孔区域的部分的厚度有关。

3.根据权利要求2所述的多孔区域结构，其中，所述距离的范围为100纳米至50微米。

4.根据权利要求2至3中任一项所述的多孔区域结构，其中，所述横向孔落在所述阳极氧化区域内，但在所述多孔区域的所述限定区域外部。

5.根据权利要求1至4所述的多孔区域结构，还包括：

在所述第一金属层下方的第二金属层，其中，所述多个孔中的非横向孔延伸穿过所述多孔区域，以开口到所述第二金属层上。

6.根据权利要求5所述的多孔区域结构，其中，所述第二金属层由钨或钛制成。

7.根据权利要求5至6中任一项所述的多孔区域结构，还包括：

电子部件，其形成在所述基板上，电连接至所述第二金属层。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的多孔区域结构，还包括：

沉积在所述硬掩模顶部上的分层结构，所述分层结构嵌入在所述多孔区域中的不包括所述横向孔的所述多个孔中。

9.根据权利要求8所述的多孔区域结构，其中，所述分层结构包括导电层，所述导电层通过所述非横向孔与所述第二金属层电接触。

10.根据权利要求8至9中任一项所述的多孔区域结构，其中，所述分层结构包括金属-绝缘体-金属(MIM)堆叠。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的多孔区域结构，其中，所述硬掩模由钨或钛制成。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的多孔区域结构，其中，所述基板由硅、玻璃、或聚合物制成。

13.根据权利要求1至6或8至12中任一项所述的多孔区域结构，其中，所述基板是未加工的基板。

14.一种电容性部件，其包括根据权利要求1至13中任一项所述的多孔区域结构。

15.一种制造多孔区域结构的方法，包括：

在基板上方沉积第一金属层；

在所述第一金属层的顶部上沉积阳极氧化硬掩模，所述阳极氧化硬掩模具有在所述第一金属层的阳极氧化区域上方的开口；

对所述第一金属层进行阳极氧化，以在所述第一金属层内形成多孔区域，所述多孔区域在所述第一金属层的所述阳极氧化区域下面；

在所述多孔区域的顶部上沉积硬掩模，所述硬掩模具有在所述多孔区域的限定区域上方的开口，所述限定区域小于所述阳极氧化区域并且包括在所述阳极氧化区域内；以及

在所述硬掩模和所述多孔区域的顶部上沉积分层结构，以将所述分层结构嵌入至在所述多孔区域的所述限定区域上方的多孔区域中。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

在沉积所述硬掩模之前，选择性地蚀刻所述阳极氧化硬掩模。