[发明专利]防护膜组件用支撑框及其制造方法、防护膜组件及曝光原版和曝光装置

说明书

提供支撑框、在该支撑框上设置有极紫外光光刻用的防护膜的防护膜组件、和支撑框的制造方法、以及使用它们的曝光原版和曝光装置，该支撑框在通气孔上设置有能够容易装卸的过滤器，并能够设置极紫外光光刻用的防护膜。提供的防护膜组件用支撑框，具有第一支撑框部、第二支撑框部和过滤器，所述过滤器具有平板状的框形状，被所述第一支撑框部和所述第二支撑框部夹持，所述第一支撑框部具有：第一主体部，具有平板状的框形状；以及第一卡合部，从所述第一主体部向所述防护膜组件用支撑框的厚度方向突出，所述第二支撑框部具有：第二主体部，具有平板状的框形状；以及第二卡合部，配置在所述第二主体部的沿所述防护膜组件用支撑框的厚度方向设置的凹部，并与所述第一卡合部卡合。

技术领域

本发明涉及通过光刻技术制造半导体器件等时使用的光掩模或分划板(以下，将它们统称为“光掩模”)及作为防止尘埃附着的光掩模用防尘罩的防护膜组件等。特别是，本发明涉及极紫外光(Extreme Ultraviolet：EUV)光刻用的防护膜组件用支撑框、防护膜组件及防护膜组件用支撑框的制造方法、以及使用防护膜组件的曝光原版和曝光装置。

背景技术

半导体元件是经过被称为光刻的工序而制造的。在光刻中，使用被称为扫描器或步进器的曝光装置对描绘有电路图案的掩模照射曝光光，将电路图案转印到涂敷有光致抗蚀剂的半导体晶片上。迄今为止，光刻的波长正在短波化，作为下一代的光刻技术，正在进行EUV光刻的开发。EUV光是指软X射线区域或真空紫外线区域的波长的光，是指13.5nm±0.3nm左右的光线。EUV光容易被所有物质吸收，因此在EUV光刻中需要在曝光装置中进行真空曝光。EUV光容易被所有物质吸收，因此配置在防护膜组件上的防护膜也需要是以往没有的纳米级的膜。

在使曝光装置内为真空而进行的EUV光刻中，最初认为防护膜组件向光掩模的安装不是必须的，因此在目前开发的EUV曝光装置中，用于向光掩模安装防护膜组件的空间仅存在3.0mm左右。但是，为了在曝光装置内确保用于安装具有5mm以上的高度的以往的防护膜组件的空间，需要改变光学系统的设计，会给EUV光刻的开发带来延迟。因此，需要重新设计高度为以往防护膜组件一半以下的防护膜组件。

当曝光装置内为真空时，由光掩模和防护膜组件形成的封闭空间(防护膜组件的内侧)与其外侧产生压力差，防护膜可能松弛或膨胀。作为其解决手段，可以考虑设置通气孔。但是，由于防护膜组件的设置空间被大幅限制，因此为了防止纳米级防护膜的损伤，需要确保通过配置在防护膜组件的框体上的通气孔的充分的通气。在通气孔中，为了防止异物混入防护膜组件的内侧，需要在其中途配置过滤器，但是防护膜组件的设置空间被大幅限制，而且框体所允许的高度也被大幅限制，因此在框体中配置过滤器也要求是以往没有的设计。

例如，在专利文献1中记载了EUV曝光用防护膜组件，从耐热性、通气速度(减压时间)、异物捕集效率的观点出发，该防护膜组件为金属制或陶瓷制，并且利用通过焊接与防护膜组件框架连续一体化的过滤器覆盖通气孔。

现有技术文件

专利文献

专利文献1：日本特开2017-116697号公报

发明内容

发明要解决的问题

覆盖通气孔的过滤器由于EUV光的曝光而劣化，因此需要更换。更换与防护膜组件框架一体化的过滤器并不容易，期望能够简便地更换过滤器的防护膜组件。

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种在通气孔上设置有容易装卸的过滤器并能够设置极紫外光光刻用的防护膜的支撑框、在该支撑框上设置极紫外光光刻用的防护膜的防护膜组件、和支撑框的制造方法、以及使用这些支撑框的曝光原版和曝光装置。

用于解决问题的手段