[发明专利]射频多路复用器

权利要求书

1.一种射频多路复用器，包括：

发送电路(211、534)和接收电路(212、531)，所述发送电路和所述接收电路各自包括RF滤波器电路；

第一端口(225、545)，将被耦合至天线，所述发送电路和所述接收电路被耦合至所述第一端口；第二端口(221、524)，被耦合至所述发送电路；

第三端口(222、521)，被耦合至所述接收电路；

其中所述发送电路(211)包括被耦合至所述第一端口(225)的谐振器(314)，并且所述接收电路(212)包括被耦合至所述第一端口(225)的谐振器(323)，其中所述发送电路的被耦合至所述第一端口的谐振器和所述接收电路的被耦合至所述第一端口的谐振器被设置在相同的单个单晶基底(213)上；

其中所述发送电路(211)包括附加的谐振器(311、312、313)，其中所述附加的谐振器被设置在与所述单个单晶基底(213)分离的另一单晶基底(214)上，并且被配置为表现出比被设置在所述单个单晶基底(213)上的所述谐振器的温度系数低的温度系数，

所述发送电路的被耦合至所述第一端口的谐振器(314)和所述附加的谐振器(311、312、313)被包括在所述发送电路的串联路径中，

所述发送电路包括被连接至所述串联路径的多个并联路径(315、316、317)，并且其中所述发送电路的所述多个并联路径所包括的谐振器被设置在所述单个单晶基底上，

其中所述附加的谐振器(311、312、313)串联连接，所述多个并联路径分别被连接在所述串联路径中的多个不同节点与接地电势之间，其中所述多个不同节点中的部分节点位于所述附加的谐振器(311、312、313)中的相邻谐振器之间。

2.根据权利要求1所述的射频多路复用器，其中所述发送电路(211)的所述滤波器电路表现出通带(412)，并且其中所述发送电路的被设置在所述单个单晶基底(213)上的所述至少一个谐振器(314)被配置为使得所述发送电路的所述滤波器电路在所述通带(412)之外的阻带(420)中表现出高反射。

3.根据权利要求1所述的射频多路复用器，还包括：另一发送电路(533)和被连接至所述另一发送电路的第四端口(523)，所述发送电路(534)和所述另一发送电路(533)各自包括包含所述串联路径和连接至所述串联路径的所述多个并联路径。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的射频多路复用器，其中所述谐振器包括被设置在所述单个单晶基底或所述另一单晶基底上的层的堆叠，其中在被布置在相同的单晶基底上的所述谐振器中的不同谐振器内，相应层的厚度相同。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的射频多路复用器，其中所述谐振器是包括电极(620)的表面声波谐振器，所述电极包括被设置在所述单个单晶基底或所述另一单晶基底上的不同金属层(621、622)以及覆盖所述金属层的介电层(623)，其中在被设置在相同的单晶基底上的所述谐振器的不同的谐振器内，所述金属层的厚度和所述介电层的厚度相同。

6.根据权利要求5所述的射频多路复用器，其中所述介电层是二氧化硅层(623)。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的射频多路复用器，其中所述谐振器是包括被介电层(623)覆盖的金属电极(620)的表面声波谐振器，其中被设置在所述单个单晶基底上的所述谐振器的所述介电层的厚度与被设置在所述另一单晶基底上的所述谐振器的所述介电层的厚度实质上不同。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的射频多路复用器，其中所述谐振器是包括压电层的体声波谐振器，所述压电层被夹在被设置在所述单个单晶基底或所述另一单晶基底上的电极之间，其中在被设置在相同的单晶基底上的所述体声波谐振器的不同的谐振器内，相应的压电层的厚度相同。

9.根据权利要求5所述的射频多路复用器，其中所述介电层是二氧化硅层(623)，并且所述单个单晶基底或所述另一单晶基底是单晶压电基底或者单晶硅基底。