[发明专利]使用晶片亮度来监测激光退火工艺和激光退火工具

权利要求书

1.一种监测半导体晶片的激光退火的方法，包括：

使用激光对所述晶片进行激光退火；

确保照明条件处于预定条件；

测量所述晶片的多个表面亮度，每次测量在所述晶片的不同部分进行；

确定测量的表面亮度的亮度统计量；以及

使用所述亮度统计量来确定所述晶片是否表现出期望的电特性。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述亮度统计量包括：确定整个晶片上的平均表面亮度是否在目标亮度的亮度容差内以及测量的整个晶片的亮度的标准差是否小于阈值，如果是，则确定所述晶片表现出期望的电特性。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

如果所述晶片表现出期望的电特性，则确定所述亮度统计量是否指示已超过控制限值，如果是，则调整用于引导所述激光的振镜、所述激光的功率和所述激光的焦点中的至少一项。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，确定所述亮度统计量是否指示已超过控制限值包括：

针对所述晶片的表面上的多个块中的每一个分别确定亮度统计量；以及

如果没有块的亮度统计量指示所述块表现出期望的电特性，则确定已超过所述控制限值。

5.根据权利要求3所述的方法，包括：确保所述振镜中的镜被对准，以使来自所述激光的光束对称地扫掠。

6.根据权利要求3所述的方法，包括：确保所述激光的功率处于标称值。

7.根据权利要求3所述的方法，包括：

用裸Si晶片来替换所述晶片；

以不同的焦点偏移对所述Si晶片的多个部分中的每一个进行激光退火；

测量每个部分的表面亮度，从而将每个焦点偏移与测量的表面亮度之一相关联；

确定与所述表面亮度中的最小表面亮度相关联的焦点偏移；以及

如果与所述表面亮度中的最小表面亮度相关联的所述焦点偏移不为零，则将所述焦点调整等于该焦点偏移的量。

8.根据权利要求3所述的方法，包括：

确保所述振镜中的镜被对准，以使来自所述激光的光束对称地扫掠；

确保所述激光的功率处于标称值；

用裸Si晶片来替换所述晶片；

以不同的焦点偏移对所述Si晶片的多个部分中的每一个进行激光退火；

测量每个部分的表面亮度，从而将每个焦点偏移与测量的表面亮度之一相关联；

确定与所述表面亮度中的最小表面亮度相关联的焦点偏移；以及

如果与所述表面亮度中的最小表面亮度相关联的所述焦点偏移不为零，则将所述焦点调整等于该焦点偏移的量。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

根据所述晶片的期望的电特性以及表面亮度与电阻之间的相关性来确定所述晶片的期望的表面亮度特性；

以及其中，确定所述晶片是否表现出期望的电特性包括：确定所述晶片是否表现出所述期望的表面亮度特性。

10.一种监测激光退火工具的方法，包括：

使用激光对裸Si晶片的多个部分中的每一个进行激光退火；

确保照明条件处于预定条件；

测量所述晶片的多个表面亮度，每次测量在所述晶片的不同部分进行；

确定测量的表面亮度的亮度统计量；以及

使用所述亮度统计量来确定所述激光退火工具是否需要调整。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，对多个部分中的每一个进行激光退火包括：以不同的焦点偏移对所述部分中的至少一些部分中的每一个进行激光退火，并且所述方法还包括：

测量这些部分中的每一个的表面亮度，从而将每个焦点偏移与测量的表面亮度之一相关联；

确定与所述表面亮度中的最小表面亮度相关联的焦点偏移；以及

如果与所述表面亮度中的最小表面亮度相关联的所述焦点偏移不为零，则将所述焦点调整等于该焦点偏移的量。