[发明专利]分流电阻器安装结构

说明书

一种分流电阻器安装结构，包括：分流电阻器，该分流电阻器包括一对电极以及电阻体；安装有控制电路的电流检测的基板，所述分流电阻器的一对电压检测端子与该基板的电压检测单元连接；以及用于测量所述电极的温度的温度传感器。

技术领域

本发明涉及分流电阻器安装结构(采用分流电阻器的电流检测电路)。

背景技术

由电阻体及设于其两端的低电阻电极构成的分流电阻器已为人所知。

例如，在专利文献1中，电阻体上设置用于监测电流的半导体元件。半导体元件通过热力学方式结合于电阻元件和/或电源连接装置的平坦表面上，从而设于其上。如此，据认为能够以低的成本在具有多个负载的供电系统内以较短时间便可正确监测电流的电流测量装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：公开号为2003-270274的日本专利申请

发明内容

本发明待解决的问题

例如，如图6中的立体图所示，分流电阻器101通常由两种类型的材料组成，形成电阻体103的电阻材料和形成电极105a和105b的电极材料。分流电阻器101的阻值-温度特性随所述两种材料特性的变化而变化。其中的一种材料为电阻材料，另一种材料为处于分流电压检测信号端子、电阻材料及电极端子之间结合处的导电材料(通常为铜)。在图6中，当分流电阻器101通电时，温度较高的区域，即成为发热部位的电阻体103区域示为阴影区域。从图6中可以看出，通电时，电极105a，105b与电阻体103之间将产生温度差，并且边界区域的温度尤其变得较高。

此两种材料具有互不相同的导电率-温度特性，而且分流阻值-温度特性由对分流电阻器结构所决定的分流电阻值具有影响的贡献量决定。

图7所示为通过上述分流电阻器101获得的电阻值随温度变化一例。

分流阻值-温度特性由对分流电阻器101结构所决定的分流电阻值具有影响的贡献量决定。横轴表示温度，纵轴表示电阻率的变化率，单位为％。

在图7中，条件1的锰铜温度与铜温度相等，条件2的锰铜温度等于铜温度+15℃，条件3的锰铜温度等于铜温度+25℃，条件4的锰铜温度等于铜温度+35℃。图7中的实线(条件1)表示在将未通电的分流电阻器101置于恒温槽内后在使温度可变的同时测量电阻值一例，并且从图7可以获得条件1的数据。

然而，这其中并未考虑如以上图6说明的实际通电状态下锰铜部分与铜质部分之间所产生温度差的影响，对于高精度电流检测中的温度补偿处理而言，仅使用其中一种部件的温度存在不太周全的问题。

本发明的目的在于，在采用分流电阻器的电流检测电路中，使得采用分流电阻TCR补偿的高精度电流检测器实现比现有技术精度更高的温度补偿方式。

本发明的目的还在于，对在未达到过热保护工作温度的情况下因分流器安装螺栓紧固状况欠佳而发生的异常进行检测时，即使不增大通电电流，也能实现此类异常检测。

解决问题的技术手段

根据本发明的一个方面，提供一种分流电阻器安装结构，包括：分流电阻器，该分流电阻器包括一对电极以及电阻体；含控制电路的电流检测基板，所述分流电阻器的一对电压检测端子与该基板的电压检测单元连接；以及用于测量所述电极温度的温度传感器。

所述温度传感器优选装于所述基板上。通过装于该基板上，易于实施温度校正等操作。

所述温度传感器优选包括用于测量所述电阻体温度的第一温度传感器。

通过该第一温度传感器，能够以良好的精度测量作为发热部位的所述电阻体的温度。