[发明专利]制作用于光学元件的基板的方法以及反射光学元件在审

专利信息
申请号: 201980033038.X 申请日: 2019-05-08
公开(公告)号: CN112189064A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: A.施梅尔;H.西克曼 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B11/02;C30B11/14;C30B29/06;C30B29/08;G02C7/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王蕊瑞
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制作 用于 光学 元件 方法 以及 反射
【权利要求书】:

1.一种用以制作用于光学元件(11)的基板(10)的方法,包含:

将起始材料(5)引入至容器(1)中并熔化该起始材料(5),该起始材料较佳为金属或半金属;

通过从配置于该容器(1)的基座(2)的区域中的多个单晶晶种盘(4)开始定向地固化该熔化的起始材料(5)来制作具有准单晶体积区域(8)的材料体(7、7a);以及

通过处理该材料体(7、7a)来制作该基板(10),以形成光学表面(12)。

2.如权利要求1所述的方法,其中,该光学表面(12)在处理该材料体(7)的过程中于所述晶种盘(4)中的一个处形成,所述晶种盘较佳使用Czochralski方法制作。

3.如权利要求1所述的方法,其中,该光学表面(12)在该材料体(7)的准单晶体积区域(8)的处理过程中形成。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,该基板(10)由该材料体(7、7a)的准单晶体积区域(8)和该材料体(7、7a)的多晶体积区域二者(9)形成。

5.如权利要求4所述的方法,其中,该多晶体积区域(9)形成该基板(10)的边缘区域,该边缘区域至少在一侧横向地突出超过该准单晶体积区域(8)。

6.如权利要求4或5所述的方法,其中,该多晶体积区域(9)至少部分地在形成于该准单晶体积区域(8)处的该光学表面(12)的下方延伸。

7.如权利要求3至6中任一项所述的方法,其中,处理该材料体(7)包含分离含有所述晶种盘(4)的体积区域(7b)。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法,更包含:

施加反射涂层(13)于该光学表面(12)上。

9.一种反射光学元件(11),特别是用以反射EUV辐射(14),包含:

具有光学表面(12)的基板(10),其中反射涂层(13)被施加于该光学表面上,

其特征在于:

该基板(10)具有准单晶体积区域(8),该基板特别是根据权利要求1至7中任一项所述的方法制作。

10.如权利要求9所述的反射光学元件,其中,该基板(10)具有单晶体积区域(4),其中该光学表面(12)形成于该单晶体积区域(4)处。

11.如权利要求9所述的反射光学元件,其中,该光学表面(12)形成于该准单晶体积区域(8)处。

12.如权利要求11所述的反射光学元件,其中,该基板(10)包含多晶体积区域(9),所述多晶体积区域至少在一侧横向地突出超过该准单晶体积区域(8)。

13.如权利要求12所述的反射光学元件,其中,该多晶体积区域(9)至少部分地在形成于该准单晶体积区域(8)处的该光学表面(12)的下方延伸。

14.如权利要求9至13中任一项所述的反射光学元件(11),其中,该基板(10)由硅或锗形成。

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