[发明专利]在非铜衬垫层上的铜电填充

权利要求书

1.一种电镀铜至晶片的表面上的方法，所述方法包括：

接收晶片，所述晶片在所述晶片的所述表面处具有多个特征和非铜衬垫层；以及

使所述晶片的所述表面与电镀溶液接触，其中所述电镀溶液包含：

铜离子，其在所述电镀溶液中的浓度为介于约0.2g/L至约10g/L之间；

加速剂添加剂；

抑制剂添加剂；和

溴离子，其中所述电镀溶液的pH大于约1.0；以及

电镀铜至所述非铜衬垫层上，以利用铜填充所述多个特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述电镀溶液还包含：

整平剂添加剂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述电镀溶液中的所述溴离子的浓度为介于约20mg/L至约240mg/L之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述非铜衬垫层包含钴或钌。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述电镀溶液还包含：

硫酸，其在所述电镀溶液中浓度为介于约0.1g/L至约10g/L之间。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述电镀溶液还包含：

氯离子，其在所述电镀溶液中浓度为介于约1mg/L至约100mg/L之间。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述电镀溶液被配置为在所述非铜衬垫层上导致阴极过电位，其足以防止所述非铜衬垫层溶解。

8.一种用于电镀铜至晶片的表面上的铜电镀溶液，所述晶片具有多个特征和非铜衬垫层，其中所述铜电镀溶液包含：

铜离子，其在所述铜电镀溶液中的浓度为介于约0.2g/L至约5g/L之间；

加速剂添加剂；

抑制剂添加剂；

溴离子，其在所述铜电镀溶液中的浓度为介于约20mg/L至约240mg/L之间；

氯离子，其在所述铜电镀溶液中的浓度为介于约1mg/L至约100mg/L之间；以及

硫酸，其在所述铜电镀溶液中浓度为介于约0.1g/L至约10g/L之间。

9.根据权利要求8所述的铜电镀溶液，其中所述抑制剂添加剂的浓度为介于约30ppm至约300ppm之间。

10.根据权利要求8所述的铜电镀溶液，其中所述加速剂添加剂的浓度为介于约5ppm至约40ppm之间。

11.根据权利要求8-10所述的铜电镀溶液，其中所述氯离子的浓度为介于约10mg/L至约80mg/L之间，且其中所述硫酸的浓度为介于约0.5g/L至约5g/L之间。