[发明专利]用于加工工件的系统和方法在审
申请号: | 201980033767.5 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN112219269A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 杨晓晅;瑞安·M·帕库尔斯基;P·伦贝西斯 | 申请(专利权)人: | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 王艳波;林军 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 加工 工件 系统 方法 | ||
本公开提供了用于加工工件例如半导体工件的系统和方法。在一个示例性实施例中,装置包括第一加工室,第一加工室包括第一加工站和第二加工站。第一加工站和第二加工站以第一距离分开。该装置包括一个或多个第二加工室。一个或多个第二加工室整体包括第三加工站和第四加工站。第三加工站和第四加工站以第二距离分开。第二距离与第一距离不同。工件搬运机器人被配置为从第一加工站和第二加工站拾取至少一个第一工件和至少一个第二工件,并且在第三加工站和第四加工站将至少一个第一工件和第二工件放下。
优先权要求
本申请要求2018年11月19日提交的名称为“用于加工工件的系统和方法”的美国临时申请第62769152号的优先权权益,该申请通过引用并入本申请。
技术领域
本公开总体涉及加工工件,更具体地涉及用于加工工件例如半导体工件的系统。
背景技术
将诸如半导体晶片或其它合适衬底等工件暴露于制作半导体器件或其它器件的整体制造方案中的加工系统可以执行多个制造工艺步骤,例如图案化、薄膜沉积(例如,化学气相沉积、物理气相沉积,等离子体增强气相沉积)、薄膜去除(例如,干式蚀刻、干式剥离、湿式蚀刻)、离子注入、热处理、表面清洁、表面处理(例如氧化、氮化、表面润湿角调节)等。这些制造步骤中很多都是在真空或近真空压力下进行的。不同的真空加工室可以有不同的设计和配置。为了执行这些处理步骤,系统可以包括一个或多个工件搬运机器人,以在多个不同的时间移动工件,例如,将工件移入系统中,将工件在不同的加工室之间移动以及将工件从系统中移出。
发明内容
本公开的实施例的方面和优点将部分地在下面的描述中阐述,或者可以从描述中了解,或者可以通过实施例的实践来了解。
本公开的一个示例性方面涉及一种用于加工半导体工件的工件加工装置。该装置包括具有第一加工站和第二加工站的第一加工室。第一加工室能够在小于约10托的压力下操作。第一加工站和第二加工站以第一距离分开。该装置包括一个或多个第二加工室。一个或多个第二加工室整体包括第三加工站和第四加工站。一个或多个第二加工室能够在小于约10托的压力下操作。第三加工站和第四加工站以第二距离分开。第二距离与第一距离不同。该装置包括与第一加工室和一个或多个第二加工室在工艺流程上连通(process flowcommunication)的传送室。传送室能够在小于约10托的压力下可操作。该装置包括设置在传送室中并且被配置为绕轴线转动的工件搬运机器人。工件搬运机器人包括第一臂和第二臂。第一臂包括可操作以支撑第一工件的至少一个工件搬运部件。第二臂包括可操作以支撑第二工件的至少一个工件搬运部件。工件搬运机器人被配置为从第一和第二加工站拾取至少一个第一工件和至少一个第二工件,并且在第三和第四加工站将至少一个第一工件和第二工件放下。
本公开的其他示例性方面涉及用于加工半导体工件的系统、方法和装置。
参考以下描述和所附权利要求,将更好地理解各实施例的这些和其他特征、方面和优点。并入且构成本说明书一部分的附图说明了本公开的实施例,并且与说明书一起用于解释相关原理。
附图说明
在参考附图的说明书中阐述了对于本领域普通技术人员的实施例的详细讨论,在附图中:
图1描绘了根据本公开的示例性实施例的示例性加工平台;
图2描绘了根据本公开的示例性实施例的示例性工件柱;
图3描绘了根据本公开的示例性实施例的示例性工件搬运机器人;
图4描绘了根据本公开的示例性实施例的示例性工件搬运机器人;
图5A、5B、5C和5D描绘了根据本公开的示例性实施例的示例性加工平台中的工件的示例性传送;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司,未经玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造