[发明专利]分路混合器电流传送器和相关方法

权利要求书

1.一种接收器装置，其特征在于，所述装置包括：

电流传送器，所述电流传送器包括具有第一差分输入的第一级、具有第二差分输入的第二级以及位于所述第一级与所述第二级之间的电流传送器输出端，所述第一级和所述第二级用于以推挽方式操作，以在所述电流传送器输出端处提供输出信号；

第一混频器，所述第一混频器与所述电流传送器耦合，所述第一混频器用于根据输入信号和具有第一频率的第一振荡器信号产生第一混频器信号，所述第一混频器用于向所述第一差分输入提供所述第一混频器信号；

第二混频器，所述第二混频器与所述电流传送器耦合，所述第二混频器用于根据所述输入信号和同样具有所述第一频率的第二振荡器信号产生第二混频器信号，所述第二混频器用于向所述第二差分输入提供所述第二混频器信号。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述第一级包括第一公共栅极/基极差分放大器，所述第一公共栅极/基极差分放大器包括所述第一差分输入和与所述电流传送器输出端连接的第一差分输出；

所述第二级包括第二公共栅极/基极差分放大器，所述第二公共栅极/基极差分放大器包括所述第二差分输入和与所述电流传送器输出端连接的第二差分输出。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：

所述第一公共极栅/基极差分放大器包括一对PMOS晶体管，每个PMOS晶体管具有栅极和源极，所述一对PMOS晶体管的栅极连接在一起；

所述第二公共栅极/基极差分放大器包括一对NMOS晶体管，每个NMOS晶体管具有栅极和源极，所述一对NMOS晶体管的栅极连接在一起。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于：

所述一对PMOS晶体管的第一构件的源极为所述第一差分输入的正极输入端；

所述一对PMOS晶体管的第二构件的源极为所述第一差分输入的负极输入端；

所述一对NMOS晶体管的第一构件的源极为所述第二差分输入的正极输入端；

所述一对NMOS晶体管的第二构件的源极为所述第二差分输入的负极输入端。

5.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：

所述第一公共栅极/基极差分放大器包括一对PNP晶体管，每个PNP晶体管都有基极，所述一对PNP晶体管的基极连接在一起；

所述第二公共栅极/基极差分放大器包括一对NPN晶体管，每个NPN晶体管都有基极，所述一对NPN晶体管的基极连接在一起。

6.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括：

共模电压控制电路，所述共模电压控制电路与所述电流传送器输出端和所述第一公共栅极/基极差分放大器耦合，其中所述共模电压控制电路用于控制所述电流传送器输出端处的共模电压。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述第一混频器为第一下混频器；

所述第二混频器为第二下混频器。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一混频器包括第一输入端子和第二输入端子，所述第二混频器包括第三输入端子和第四输入端子，所述装置还包括：

第一信号耦合电容器，所述第一信号耦合电容器与所述第一输入端子连接；

第二信号耦合电容器，所述第二信号耦合电容器与所述第二输入端子连接，所述第一信号耦合电容器和所述第二信号耦合电容器用于将所述输入信号耦合到所述第一混频器；

第三信号耦合电容器，所述第三信号耦合电容器与所述第三输入端子连接；

第四信号耦合电容器，所述第四信号耦合电容器与所述第四输入端子连接，所述第三信号耦合电容器和所述第四信号耦合电容器用于将所述输入信号耦合到所述第二混频器。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一级和所述第二级形成AB类放大器。