[发明专利]用于工件的曝光后烘烤加工的方法和装置在审
申请号: | 201980034006.1 | 申请日: | 2019-05-03 |
公开(公告)号: | CN112204470A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 杨晓晅 | 申请(专利权)人: | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16;G03F7/40;G03F7/20;H01L21/67;H01L21/027;H01L21/324 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 王艳波;林军 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 工件 曝光 烘烤 加工 方法 装置 | ||
1.一种用于加工工件的方法,所述方法包括:
将具有光刻胶层的工件放置在工件支撑体上,所述工件支撑体设置在加工室内;
通过光掩模使所述光刻胶曝光于具有一定波长的光子;
对具有所述光刻胶层的所述工件进行曝光后烘烤加热过程,其中,所述曝光后烘烤加热过程包括利用设置在所述工件支撑体中的辐射热源和第二热源两者来加热所述工件,直到所述工件的温度达到曝光后烘烤设定点温度。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述曝光后烘烤加热过程在小于约15秒的时间内将所述工件加热到大约所述曝光后烘烤设定点温度。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述曝光后烘烤加热过程在小于约5秒的时间内将所述工件加热至大约所述曝光后烘烤设定点温度。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:一旦所述工件达到所述曝光后烘烤设定点温度,则将所述一个或多个辐射热源断电,同时保持所述第二热源对所述工件的加热。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述曝光后烘烤设定点温度在大约60℃至大约150℃之间。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述辐射热源包括一个或多个白炽灯。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述曝光后烘烤加热过程中,在所述辐射热源与所述工件之间放置滤波器,所述滤波器对于具有所述波长的光子的透射是至少部分地不透光的。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述辐射热源包括一个或多个发光二极管。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二热源包括设置在所述工件支撑体中的一个或多个电阻加热元件。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二热源包括设置在所述工件支撑体中的一个或多个基于流体的加热元件。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第二热源中的所述一个或多个基于流体的加热元件与热交换器流体连通,并且在所述曝光后烘烤加热过程中,流体在所述第二热源中的所述一个或多个基于流体的加热元件与所述热交换器之间循环。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述流体是包括水、油和二醇中的一种或多种的工作液体流体。
13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光刻胶层是化学增幅型抗蚀剂层。
14.一种用于加工工件的方法,所述方法包括:
通过光掩模使工件上的光刻胶层曝光于具有一定波长的光子;
将具有所述光刻胶层的所述工件放置在设置于加工室内的工件支撑体上,所述工件支撑体包括一个或多个基于流体的加热元件;
在大约曝光后烘烤设定点温度下,对包括所述基于流体的加热元件的所述工件支撑体上的所述工件上的所述光刻胶层进行曝光后烘烤加热过程。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述工件支撑体中的所述基于流体的加热元件与热交换器流体连通,并且在所述曝光后烘烤加热过程中,流体在所述工件支撑体中的所述一个或多个基于流体的加热元件与所述热交换器之间循环。
16.根据权利要求14所述的方法,其中,所述流体是包括水、油和二醇中的一种或多种的工作液体流体。
17.根据权利要求14所述的方法,其中,所述曝光后烘烤设定点温度在大约60℃至大约150℃的范围内。
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