[发明专利]保护具有电极连接件的纳米孔阵列免受静电放电的影响

权利要求书

1.一种组件，其被配置成与接收器可移除地接合，所述组件具有：

电极阵列，并且被配置成与接收器上的对应的连接件阵列可移除地连接，其中所述阵列中的多个电极电连接到对应的凹槽或阱，每一个凹槽形成传感器的部分以用于在其中接收流体，使得能跨越每一个凹槽形成膜，从而将凹槽中的所述流体与公共腔室中的导电流体分隔开；

导电结构，其被配置成跨越所述阵列，以实现所述电极阵列与接收器的连接件阵列之间的电连接，其中所述导电结构被配置成抑制传导通过所述凹槽的静电放电(ESD)和/或引导ESD远离所述凹槽。

2.根据权利要求1所述的组件，其进一步具有在所述公共腔室中的导电流体和在所述多个凹槽中的流体，其中跨越多个所述凹槽形成膜，从而将所述公共腔室中的所述流体与所述多个凹槽中的每一个凹槽中的所述流体分隔开，并且其中所述导电结构被配置成抑制经由所述凹槽横穿膜的静电放电和/或引导静电放电远离膜。

3.根据权利要求2所述的组件，其中所述导电结构连接到所述公共腔室中的所述流体以抑制跨越所述凹槽或膜产生的电位差。

4.根据权利要求2所述的组件，其进一步包括与所述公共腔室中的所述流体接触的公共电极。

5.根据权利要求4所述的组件，其中所述导电结构电连接到所述公共电极。

6.根据权利要求2所述的组件，其中所述膜是两亲性双层。

7.根据任一前述权利要求所述的组件，其中所述电极阵列布置在基座衬底上，并且所述导电结构安装在所述衬底上。

8.根据任一前述权利要求所述的组件，其中所述导电结构从由所述电极限定的平面延伸。

9.根据权利要求7所述的组件，其中所述电极阵列布置在衬底的基座上，并且其中所述衬底的至少部分从所述电极之间的区域延伸以形成壁，并且所述导电结构被配置在所述壁的顶部上。

10.根据权利要求7或8所述的组件，其中所述导电结构由电极之间的区域中的导电材料的沉积形成。

11.根据任一前述权利要求所述的组件，其中所述导电结构被配置为栅格并且在由所述基座或衬底限定的平面方向上在所述电极之间延伸。

12.根据任一前述权利要求所述的组件，其中所述电极布置成具有直线图案的阵列。

13.根据任一前述权利要求所述的组件，其中每一个电极的覆盖区是四边形的。

14.根据任一前述权利要求所述的组件，其中所述阵列的所述电极的间距在100um与1500um之间。

15.根据任一前述权利要求所述的组件，其中所述导电结构的所述壁的横截面的厚度在20um与200um之间。

16.根据任一前述权利要求所述的组件，其中连接件延伸穿过的所述导电结构的窗口或孔口具有圆形拐角。

17.根据任一前述权利要求所述的组件，其中所述电极阵列和导电结构至少部分地覆盖有可移除的保护薄膜或保护层。

18.一种套件，其具有根据任一前述权利要求所述的组件和接收器，其中所述接收器上的连接件阵列被配置成延伸穿过所述导电结构而不接触所述导电结构，以与所述组件上的所述电极形成电连接。

19.根据权利要求18所述的套件，其中所述栅格连接到样本腔室中的所述导电流体以抑制跨越形成在所述样本腔室中的所述流体与凹槽中的流体之间的所述凹槽或膜产生的电位差，使得在导电流体占据所述样本腔室时，通过所述导电结构抑制ESD传导通过所述凹槽和/或传感器或在所述凹槽和/或传感器的区域中传导。