[发明专利]新奥氏体合金有效

专利信息
申请号: 201980034146.9 申请日: 2019-05-23
公开(公告)号: CN112154220B 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 卡琳·安东松;乌尔夫·基维塞克 申请(专利权)人: 山特维克材料技术公司
主分类号: C22C19/05 分类号: C22C19/05;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/44
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈海涛;王海川
地址: 瑞典桑*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 奥氏体 合金
【权利要求书】:

1.一种奥氏体合金,所述奥氏体合金以重量%计由以下元素构成:

任选地,总含量≤1.0重量%且选自由Al、Mg、Ca、Ce和B组成的组中的一种或多种元素;

剩余物为Fe和不可避免的杂质;

其特征在于,所述奥氏体合金满足以下条件:

ENi1.864*ECr-19.92

其中

ECr=[wt%Cr]+[wt%Mo]+1.5*[wt%Si],

ENi=[wt%Ni]+30*[wt%C]+30*[wt%N]+0.5*[wt%Mn]+0.5*[wt%Cu]。

2.根据权利要求1所述的奥氏体合金,其中Cu含量≤0.25wt%。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的奥氏体合金,其中Mn含量≤1.2wt%。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的奥氏体合金,其中Si含量≤0.5wt%。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的奥氏体合金,其中Cr含量在25.5wt%至32.0wt%之间。

6.根据权利要求1至2中任一项所述的奥氏体合金,其中Mo含量在6.1wt%至7.54wt%之间。

7.根据权利要求1至2中任一项所述的奥氏体合金,其中Ni含量在43.0wt%至51.0wt%之间。

8.根据权利要求1至2中任一项所述的奥氏体合金,其中在以3M MgCl2作为电解质的条件下根据ASTM G150测定,所述奥氏体合金的CPT大于88℃。

9.根据权利要求6所述的奥氏体合金,其中Mo含量在6.4wt%至7.54wt%之间。

10.根据权利要求7所述的奥氏体合金,其中Ni含量在44.0wt%至51.0wt%之间。

11.一种制造奥氏体合金的方法,所述奥氏体合金以重量%计具有由以下构成的元素组成:

任选地,总含量≤1.0重量%且选自由Al、Mg、Ca、Ce和B组成的组中的一种或多种元素;

剩余物为Fe和不可避免的杂质;

所述奥氏体合金在凝固后将具有小于0.3%的金属间相含量,

其中所述方法包括以下步骤:

-提供熔体;

-分析所述熔体以获得其中所含的元素的重量%;

-将由所述熔体获得的值代入以下方程式:

ENi1.864*ECr-19.92

其中

ECr=[wt%Cr]+[wt%Mo]+1.5*[wt%Si],

ENi=[wt%Ni]+30*[wt%C]+30*[wt%N]+0.5*[wt%Mn]+0.5*[wt%Cu]

-任选向所述熔体添加合金元素,直到满足所述方程式为止;

-使所述熔体凝固。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述凝固方法是浇铸。

13.根据权利要求11或12所述的方法,其中所述方法还包括至少一个热加工步骤。

14.根据权利要求11至12中任一项所述的方法,其中所述方法还包括至少一个冷加工步骤。

15.根据权利要求11至12中任一项所述的方法,其中所述方法还包括至少一个热处理步骤。

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