[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管的驱控

权利要求书

1.一种用于驱控MOSFET(1)、特别是基于具有宽带隙的半导体的MOSFET(1)的方法，其中，

-创建特征块，在所述特征块中与影响所述MOSFET(1)的开关特性的至少一个运行特征变量(U、T)相关地存储用于驱控所述MOSFET(1)的至少一个驱控变量(U1、U2、R1、R2)相对于所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)的参考驱控值的变化(ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2)，该变化抵抗由至少一个所述运行特征变量(U、T)引起的、所述开关特性的变化，

-在所述MOSFET(1)运行时，求出至少一个所述运行特征变量(U、T)的实际值，并且

-根据所述特征块，相对于至少一个所述驱控变量的参考驱控值，与至少一个所述运行特征变量(U、T)的所述实际值相关地改变至少一个所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述特征块中，与至少一个所述运行特征变量(U、T)相关地存储用于接通所述MOSFET(1)的接通驱控电压(U1)的变化(ΔU1)。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述特征块中，与至少一个所述运行特征变量(U、T)相关地存储用于断开所述MOSFET(1)的断开驱控电压(U2)的变化(ΔU2)。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述特征块中，与至少一个所述运行特征变量(U、T)相关地存储用于接通所述MOSFET(1)的接通栅极电阻(R1)的变化(ΔR1)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述特征块中，与至少一个所述运行特征变量(U、T)相关地存储用于断开所述MOSFET(1)的断开栅极电阻(R2)的变化(ΔR2)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述特征块中，与所述MOSFET(1)的运行电压(U)相关地存储至少一个所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)的变化(ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述特征块中，与所述MOSFET(1)的运行温度(T)相关地存储至少一个所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)的变化(ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2)。

8.一种用于执行根据前述权利要求中任一项所述的方法的驱控装置(3)，所述驱控装置(3)包括：

-评估单元(7)，所述评估单元设计用于存储所述特征块，并且根据所述特征块与至少一个所述运行特征变量(U、T)的实际值相关地求出至少一个所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)的变化(ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2)；和

-控制单元(5)，所述控制单元设计用于根据具有至少一个所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)的驱控值的控制信号(12)来驱控所述MOSFET(1)，根据由所述评估单元(7)求出的所述变化(ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2)相对于所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)的所述参考驱控值改变所述驱控值。

9.根据权利要求8所述的驱控装置(3)，其中，所述控制单元(5)具有能控制的接通电压源(13)，所述接通电压源用于产生用于接通所述MOSFET(1)的、能变化的接通驱控电压(U1)。

10.根据权利要求8或9所述的驱控装置(3)，其中，所述控制单元(5)具有能控制的断开电压源(15)，所述断开电压源用于产生用于断开所述MOSFET(1)的、能变化的断开驱控电压(U2)。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的驱控装置(3)，其中，所述控制单元(5)具有能控制的接通电阻单元(R1)，所述接通电阻单元用于产生用于接通所述MOSFET(1)的、能变化的接通栅极电阻(R1)。