[发明专利]真空紫外光偏振元件、真空紫外光偏振装置、真空紫外光偏振方法及取向方法

权利要求书

1.一种真空紫外光偏振元件，其是使波长200nm以下的真空紫外光偏振的真空紫外光偏振元件，其特征在于，

其具备对真空紫外光透明的基板和设置在基板上的栅，

栅由平行延伸的多个线状部构成，是在各线状部之间未设置填充物的结构，

各线状部的材料是第3族或第4族元素的氧化物，且是在由式PE＝T²×log₁₀(ER)得到的PE于真空紫外区域中达到最高的光学常数的组合中PE达到0.2以上的材料，其中，T为栅的透射率，ER为栅的消光比。

2.根据权利要求1所述的真空紫外光偏振元件，其特征在于，

形成所述各线状部的材料中，所述第3族或第4族元素的一部分被替换为其他元素，替换的比例为在所述PE于真空紫外区域中达到最高的光学常数的组合中所述PE达到0.2的比例以下。

3.根据权利要求1所述的真空紫外光偏振元件，其中，

各线状部之间为空间，

各线状部由氧化铪、氧化钇、氧化铪中的一部分铪用其他元素替换了的氧化铪系多元化合物或者氧化钇中的一部分钇用其他元素替换了的氧化钇系多元化合物形成。

4.一种真空紫外光偏振装置，其特征在于，

其具备真空紫外光偏振元件和将配置有真空紫外光偏振元件的空间用不活泼性气体替换的气氛控制单元，

真空紫外光偏振元件是使波长200nm以下的真空紫外光偏振的真空紫外光偏振元件，其具备对真空紫外光透明的基板和设置在基板上的栅，

栅由平行延伸的多个线状部构成，是在各线状部之间未设置填充物的结构，

各线状部的材料是第3族或第4族元素的氧化物，且是在由式PE＝T²×log₁₀(ER)得到的PE于真空紫外区域中达到最高的光学常数的组合中PE达到0.2以上的材料，其中，T为栅的透射率，ER为栅的消光比。

5.根据权利要求4所述的真空紫外光偏振装置，其特征在于，

形成所述各线状部的材料中，所述第3族或第4族元素的一部分被替换为其他元素，替换的比例为在所述PE于真空紫外区域中达到最高的光学常数的组合中所述PE达到0.2的比例以下。

6.根据权利要求4所述的真空紫外光偏振装置，其中，

各线状部之间为空间，

各线状部由氧化铪、氧化钇、氧化铪中的一部分铪用其他元素替换了的氧化铪系多元化合物或者氧化钇中的一部分钇用其他元素替换了的氧化钇系多元化合物形成。

7.一种真空紫外光偏振方法，其是将非偏振状态的波长200nm以下的真空紫外光照射到真空紫外光偏振元件而使其偏振的真空紫外光偏振方法，其特征在于，

真空紫外光偏振元件是在对真空紫外光透明的基板上设置有由平行延伸的多个线状部构成的栅的结构，

栅是由下述材料形成各线状部、且在各线状部之间未设置填充物的结构，所述材料是第3族或第4族元素的氧化物，且是在由式PE＝T²×log₁₀(ER)得到的PE于真空紫外区域中达到最高的光学常数的组合中PE达到0.2以上的材料，其中，T为栅的透射率，ER为栅的消光比。

8.根据权利要求7所述的真空紫外光偏振方法，其特征在于，

形成所述各线状部的材料中，所述第3族或第4族元素的一部分被替换为其他元素，替换的比例为在所述PE于真空紫外区域中达到最高的光学常数的组合中所述PE达到0.2的比例以下。

9.根据权利要求7所述的真空紫外光偏振方法，其中，

所述氧化物为氧化铪、氧化钇、氧化铪中的一部分铪用其他元素替换了的氧化铪系多元化合物或者氧化钇中的一部分钇用其他元素替换了的氧化钇系多元化合物。

10.根据权利要求7所述的真空紫外光偏振方法，其特征在于，

在将所述真空紫外光偏振元件配置于用不活泼性气体替换了的空间的情况下进行所述方法。