[发明专利]旋涂金属化在审
申请号: | 201980035026.0 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN112219258A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | A·C·库珀;S·V·伊瓦诺维;李宏波;R·M·皮尔斯坦;雷新建 | 申请(专利权)人: | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 吴亦华;徐志明 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属化 | ||
1.一种在衬底上沉积导电金属膜的方法,包括:
a.提供具有包含形貌的表面的所述衬底;
b.提供包含中性(不带电)金属化合物的液体金属前体,所述中性(不带电)金属化合物具有处于零价状态的金属和至少一个中性稳定配体;
其中
所述金属选自Fe、Co、Ni、Ru、Ir、Rh、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Os及其组合;
所述至少一种中性稳定配体选自
一氧化碳(CO);一氧化氮(NO);二氮(N2);乙炔(C2H2);乙烯(C2H4);C4-C18二烯或C4-C18环二烯;C6-C18三烯;C8至C18四烯;有机异氰化物RNC,其中R选自C1至C12的直链或支链的烃基或卤代烃基;有机腈RCN,其中R选自C1至C12的烃基或卤代烃基;有机膦PR’3,其中R’选自H、Cl、F、Br和C1至C12的烃基或卤代烃基;胺NRaRbRc,其中Ra、Rb和Rc可以彼此连接,并且各自独立地选自H或C1至C12的烃基或卤代烃基;有机醚R*OR**,其中R*和R**可以彼此连接,并且各自独立地选自C1至C12的烃基或卤代烃基;和通式为R1CCR2的末端炔烃或内部炔烃,其中R1和R2可以独立地选自H、C1至C12的直链、支链、环状或芳族的卤代烃基或烃基、甲硅烷基或有机甲硅烷基、甲锡烷基或有机甲锡烷基,及其组合;
所述中性(不带电)金属化合物是液体或固体,其在环境温度下可溶于选自饱和的直链、支链和环状的烃的溶剂;或者是在低于其分解温度的温度下熔化的固体;
和
所述液体金属前体在环境温度下的粘度在0.5cP至20cP之间;
和
c.将所述液体金属前体通过喷涂、辊涂、刮刀刮样(刮涂)、旋涂、表面汇集、过饱和蒸汽冷凝、喷墨印刷、幕涂、浸涂或其组合施加于所述表面以将所述导电金属膜沉积到所述衬底上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弗萨姆材料美国有限责任公司,未经弗萨姆材料美国有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980035026.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造