[发明专利]半导体晶片处理中最小化晶片背侧损伤的方法

权利要求书

1.一种基板支撑件，包含：

陶瓷主体，包含基板夹持表面；

RF电极，设置在所述陶瓷主体内；

加热组件，嵌入所述陶瓷主体中；

多个基板支撑特征，形成在所述基板夹持表面上，所述多个基板支撑特征包括：

第一组支撑特征，径向设置在第一径向距离处的所述基板夹持表面的内部区域内，所述第一组支撑特征具有第一恒定密度；以及

第二组支撑特征，径向设置在第二径向距离处的所述基板夹持表面的外部区域内，所述第二组支撑特征具有第二恒定密度，其中所述外部区域围绕所述内部区域，所述第二恒定密度大于所述第一恒定密度，并且所述第一径向距离与所述第二径向距离的比率为1:1和4:1之间，并且其中所述第二恒定密度与所述第一恒定密度的比率为4：1至10：1；以及

调节层，形成在所述多个基板支撑特征上，所述调节层包含氮化硅、硅或氧化硅。

2.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述多个基板支撑特征的总数为1000或更大。

3.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述多个基板支撑特征以多个同心圆布置。

4.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述多个基板支撑特征具有65μm或更小的平均表面粗糙度(Ra)。

5.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述多个基板支撑特征的平均表面粗糙度(Ra)为15μm至20μm。

6.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述调节层具有5GPa至30GPa的范围中的硬度。

7.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述调节层是氮化硅。

8.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述调节层进一步包含未掺杂的硅玻璃(USG)。

9.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述调节层具有0.5μm至1.2μm的厚度。

10.一种基板支撑件，包含：

主体，包含基板夹持表面，所述基板夹持表面具有内部区域和围绕所述内部区域的外部区域；

电极，设置在所述主体内；

壁架，围绕所述主体的周边形成，所述壁架围绕所述外部区域；以及

多个基板支撑特征，形成在所述基板夹持表面上，所述多个基板支撑特征包括：

第一组支撑特征，径向设置在第一径向距离处的所述基板夹持表面的内部区域内，所述第一组支撑特征具有第一恒定密度；以及

第二组支撑特征，径向设置在第二径向距离处的所述基板夹持表面的外部区域内，所述第二组支撑特征具有第二恒定密度，其中所述第二恒定密度与所述第一恒定密度的比率为4：1至10：1。

11.如权利要求10所述的基板支撑件，其中所述第一径向距离与所述第二径向距离的比率为2：1至3：1。

12.如权利要求10所述的基板支撑件，其中所述多个基板支撑特征的总数为1000或更大。

13.如权利要求10所述的基板支撑件，其中所述多个基板支撑特征以多个同心圆布置。

14.如权利要求10所述的基板支撑件，其中所述多个基板支撑特征具有15μm至20μm的平均表面粗糙度(Ra)。

15.如权利要求10所述的基板支撑件，进一步包含：

调节层，形成在所述多个基板支撑特征上，其中所述调节层包含硅、氮化硅、氧化硅、碳掺杂氧化硅(SiOC)、碳化硅(SiC)、含氮碳化硅(SiCN)、氧化铝、氮化铝、未掺杂的硅玻璃(USG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)或其任何组合。