[发明专利]具有用于接收样本的两个或更多个图像的两个或更多个光敏子区域的图像传感器在审
申请号: | 201980035524.5 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN112219279A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | A.M.法恩;M.S.兰卡杜瓦 | 申请(专利权)人: | 阿兰蒂克微科学股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01N21/84;G06M11/00;H01L21/82;H01L21/98;H01L23/50;H01L25/065;H04N5/369 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 贺紫秋 |
地址: | 加拿大新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 用于 接收 样本 两个 更多 图像 光敏 区域 图像传感器 | ||
1.一种设备,包括:
整体图像传感器,其包括具有表面区域的传感器表面,在该表面区域处以行和列布置光敏像素,
所述表面区域包括两个或更多个光敏子区域,每个子区域配置为沿着两个正交维度从晶片切割以形成离散图像传感器,沿着所述两个正交维度之一布置所述两个或更多个光敏子区域,
所述整体图像传感器的传感器表面在两个或更多个子区域上是平坦且连续的。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述晶片被切割所沿着的两个正交维度平行于所述像素的行和列的方向。
3.根据权利要求1所述的设备,其中,所述子区域的单个行或列沿着所述两个正交维度之一布置。
4.根据权利要求3所述的设备,包括沿着所述图像传感器的侧面的互连,以与所述光敏子区域进行电接触。
5.根据权利要求3所述的设备,包括沿着跨越两个或更多个子区域的行或列的一个或多个侧面的互连,以与所述光敏子区域进行电接触。
6.根据权利要求3所述的设备,包括沿着跨越两个或更多个子区域的行或列的不超过两个相对侧面的互连,以与所述光敏子区域进行电接触。
7.根据权利要求1所述的设备,其中,所述表面区域包括在两个光敏子区域之间的至少一个非光敏子区域。
8.根据权利要求7所述的设备,其中,所述非光敏子区域配置为在所述晶片被切割的情况下成为锯道。
9.根据权利要求1所述的设备,包括耦合到所述整体图像传感器的传感器驱动电路。
10.根据权利要求9所述的设备,包括耦合到所述传感器驱动电路的存储器。
11.根据权利要求10所述的设备,包括处理器和耦合到所述存储器的应用。
12.根据权利要求1所述的设备,包括与所述传感器表面相关的室。
13.根据权利要求12所述的设备,其中,所述室包括与所述传感器表面间隔开预定距离的表面,所述预定距离与样品的单层相关。
14.一种设备,包括:
整体图像传感器,其包括具有表面区域的传感器表面,在该表面区域中以行和列布置光敏像素,
所述表面区域包括以行或列的两个或更多个光敏子区域,沿着该行或列的连续光敏子区域被非光敏区域分开,
所述整体图像传感器的传感器表面在两个或更多个子区域上是平坦且连续的。
15.根据权利要求14所述的设备,包括沿着所述图像传感器的侧面的互连,以与所述光敏子区域进行电接触。
16.根据权利要求14所述的设备,包括沿着跨越两个或更多个子区域的行或列的一个或多个侧面的互连,以与所述光敏子区域进行电接触。
17.根据权利要求14所述的设备,包括沿着跨越两个或更多个子区域的行或列的不超过两个相对侧面的互连,以与所述光敏子区域进行电接触。
18.根据权利要求14所述的设备,其中,所述表面区域包括在两个光敏子区域之间的至少一个非光敏子区域。
19.根据权利要求14所述的设备,其中,所述非光敏子区域配置为在所述晶片被切割的情况下成为锯道。
20.根据权利要求14所述的设备,包括耦合到所述整体图像传感器的传感器驱动电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿兰蒂克微科学股份有限公司,未经阿兰蒂克微科学股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980035524.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电力变换装置以及电力变换方法
- 下一篇:连续离心机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的