[发明专利]使用原子层沉积法在基片上形成薄膜的方法或装置

权利要求书

1.一种使用原子层沉积法在基片上形成薄膜的方法，其特征在于：

包括将前体供给到所述基片的步骤，其中所述前体是具有一个氨基的氨基硅烷，

所述步骤中的所述前体的供给时间小于所述前体在所述基片的吸附量达到饱和的时间。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述步骤中，以在将所述基片在径向上同心状地划分出的多个吸附区域中的至少两个所述吸附区域之间，每单位面积的所述前体的供给流量、供给时间的至少一者不同的方式，供给所述前体。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

所述基片在要吸附所述前体的面包含羟基封端的硅。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：

所述原子层沉积法包括在供给所述前体的所述步骤之后，供给使吸附于所述基片的所述前体氧化的氧化气体的步骤。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述氧化气体包含由等离子体活化了的氧气、或者臭氧。

6.一种使用原子层沉积法在基片上形成薄膜的装置，其特征在于，包括：

处理容器，其在内部配置有用于载置基片的载置部；

气体释放部，其具有与所述载置部相对的形成有多个气体释放孔的喷淋板；

对所述气体释放部供给前体的前体供给部，其中所述前体是具有一个氨基的氨基硅烷；

对所述气体释放部供给反应气体的反应气体供给部；和

控制部，其输出使来自所述气体释放部的所述前体的释放时间小于所述前体在所述基片的吸附量达到饱和的时间的控制信号。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于：

在所述气体释放部，形成有将多个所述气体释放孔的排列区域在所述基片的径向上对应地呈同心状被划分为多个，且能够彼此独立地释放气体的多个分区区域，

所述控制部输出在多个所述分区区域中的至少两个所述分区区域之间使每单位面积的所述前体的释放流量、释放时间的至少一者不同的控制信号。

8.如权利要求6或7所述的装置，其特征在于：

具有用于使所述反应气体等离子体化的等离子体生成机构，

所述控制部在从所述气体释放部释放了所述反应气体时输出用所述等离子体生成机构使所述反应气体等离子体化的控制信号。