[发明专利]通过光束分离可移除复合结构的方法在审

专利信息
申请号: 201980035862.9 申请日: 2019-03-22
公开(公告)号: CN112204711A 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: J-M·贝索克斯;G·贝斯纳德;Y·辛奎因 申请(专利权)人: SOITEC公司
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;H01L21/762
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 通过 光束 分离 复合 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种通过光束分离可拆除复合结构的方法,所述方法包括:

-提供可拆除复合结构(100),其依次包括:

·衬底(1),

·光吸收层(2),其由适于至少部分地吸收光束的材料制成,

所述衬底对于所述光束基本上透明,

·牺牲层(3),其适于在施加高于解离温度的温度下解离,由与光吸收层(2)的材料不同的材料制成,

·至少一个待分离层(4),

-施加穿过衬底(1)的光束,所述光束至少部分地由光吸收层(2)吸收,以加热所述光吸收层,

-通过来自光吸收层(2)的热传导将牺牲层(3)加热至高于或等于解离温度的温度,

-在所述加热的作用下使牺牲层(3)解离。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,衬底(1)的厚度与衬底对光束的吸收系数的乘积小于0.1。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中,光吸收层(2)的厚度与所述层对光束的吸收系数的乘积大于2.3。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述光束以脉冲的方式施加。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,所述光束的波长在100nm至12 000nm之间。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,在施加所述光束之前,所述方法包括将复合结构(100)结合至载体(200)的步骤,所述牺牲层(3)的解离导致待分离层(4)转移至载体(200)。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述载体(200)包括以下材料中的至少一种:半导体材料,例如硅;金属,例如铜;聚合物。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述牺牲层(3)与所述光吸收层(2)接触。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述牺牲层(3)由对所述光束基本上透明的材料制成。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述结构进一步包括所述衬底(1)和所述光吸收层(2)之间的第一热障层(5),其对所述光束基本上透明。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述结构进一步包括所述牺牲层和所述待分离层之间的第二热障层(5)。

12.根据权利要求10和11中任一项所述的方法,其中,所述第一热障层和/或所述第二热障层(5)的线性导热系数小于10W m-1K-1

13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法,其中,所述第一热障层和/或所述第二热障层(5)包括以下材料中的至少一种:二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述结构进一步包括所述牺牲层(3)和所述待分离层(4)之间的第一薄膜(6),其适于反射或吸收光束。

15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述第一薄膜(6)包括以下材料中的至少一种:硅、二氧化硅(SiO2)、碳化硅(SiC)、钼、氮化硅(Si3N4)。

16.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述结构进一步包括所述牺牲层(3)和所述待分离层(4)之间的第二薄膜(7),其适于在所述结构(100)的整个区域上分配热量。

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