[发明专利]通过光束分离可移除复合结构的方法在审
申请号: | 201980035862.9 | 申请日: | 2019-03-22 |
公开(公告)号: | CN112204711A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | J-M·贝索克斯;G·贝斯纳德;Y·辛奎因 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/762 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 光束 分离 复合 结构 方法 | ||
1.一种通过光束分离可拆除复合结构的方法,所述方法包括:
-提供可拆除复合结构(100),其依次包括:
·衬底(1),
·光吸收层(2),其由适于至少部分地吸收光束的材料制成,
所述衬底对于所述光束基本上透明,
·牺牲层(3),其适于在施加高于解离温度的温度下解离,由与光吸收层(2)的材料不同的材料制成,
·至少一个待分离层(4),
-施加穿过衬底(1)的光束,所述光束至少部分地由光吸收层(2)吸收,以加热所述光吸收层,
-通过来自光吸收层(2)的热传导将牺牲层(3)加热至高于或等于解离温度的温度,
-在所述加热的作用下使牺牲层(3)解离。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,衬底(1)的厚度与衬底对光束的吸收系数的乘积小于0.1。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中,光吸收层(2)的厚度与所述层对光束的吸收系数的乘积大于2.3。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述光束以脉冲的方式施加。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,所述光束的波长在100nm至12 000nm之间。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,在施加所述光束之前,所述方法包括将复合结构(100)结合至载体(200)的步骤,所述牺牲层(3)的解离导致待分离层(4)转移至载体(200)。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述载体(200)包括以下材料中的至少一种:半导体材料,例如硅;金属,例如铜;聚合物。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述牺牲层(3)与所述光吸收层(2)接触。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述牺牲层(3)由对所述光束基本上透明的材料制成。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述结构进一步包括所述衬底(1)和所述光吸收层(2)之间的第一热障层(5),其对所述光束基本上透明。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述结构进一步包括所述牺牲层和所述待分离层之间的第二热障层(5)。
12.根据权利要求10和11中任一项所述的方法,其中,所述第一热障层和/或所述第二热障层(5)的线性导热系数小于10W m-1K-1。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法,其中,所述第一热障层和/或所述第二热障层(5)包括以下材料中的至少一种:二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)。
14.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述结构进一步包括所述牺牲层(3)和所述待分离层(4)之间的第一薄膜(6),其适于反射或吸收光束。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述第一薄膜(6)包括以下材料中的至少一种:硅、二氧化硅(SiO2)、碳化硅(SiC)、钼、氮化硅(Si3N4)。
16.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述结构进一步包括所述牺牲层(3)和所述待分离层(4)之间的第二薄膜(7),其适于在所述结构(100)的整个区域上分配热量。
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