[发明专利]低α射线释放量的氧化亚锡及其制造方法有效
申请号: | 201980035888.3 | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN112203983B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 平野广隆;吉田能弘;片濑琢磨 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C01G19/02 | 分类号: | C01G19/02;C25D21/14 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 刁兴利;康泉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 释放 氧化 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种在大气中以100℃加热6小时之后的α射线的释放量为0.002cph/cm2以下的氧化亚锡。将作为杂质含有铅的锡溶解到硫酸水溶液中来制备硫酸锡水溶液,并且在该水溶液中析出硫酸铅并将其去除。一边搅拌去除了硫酸铅之后的硫酸锡水溶液,一边添加含有α射线释放量为10cph/cm2以下的铅的硝酸铅水溶液,而在硫酸锡水溶液中析出硫酸铅,同时从该水溶液中去除硫酸铅并使硫酸锡水溶液循环。在硫酸锡水溶液中添加中和剂来收集氧化亚锡。
技术领域
本发明涉及一种适于用作对锡或锡合金镀液补充Sn成分的材料的α射线的释放量极少的低α射线释放量的氧化亚锡及其制造方法。
本申请主张基于2018年7月30日于日本申请的专利申请2018-142078号及2019年7月4日于日本申请的专利申请2019-125029号的优先权,并将其内容援用于此。
背景技术
锡或锡合金镀液用于例如在搭载晶片或半导体集成电路芯片的电路基板上形成焊锡凸块,其通过该焊锡凸块将如上述芯片那样的电子零件接合到晶片或基板上。
迄今为止,考虑到铅(Pb)会对环境造成影响,用于制造这种电子零件的焊锡材料使用了以不含Pb的锡(Sn)为主要金属的焊锡材料(例如,以Sn-Ag、Sn-Ag-Cu等Sn-Ag系合金为代表的焊锡)。然而,即使为不含Pb的焊锡材料,也很难从作为主要焊锡材料的Sn中完全去除Pb,导致在Sn中作为杂质而含有微量的Pb。近年来,在进一步高密度化及高容量化的半导体装置中,引起软错误的是从由作为该Pb的同位素的210Pb产生的210Po释放的α射线。因此,需要尽可能不释放由作为杂质而含有的210Pb产生的该α射线的低α射线释放量的锡。并且,在当前的市场上,α射线释放量为0.002cph/cm2以下的产品最为普及,从而作为指标之一,所重视的是α射线释放量为0.002cph/cm2以下。并且,随着产品的使用环境的多样化,对需要为0.001cph/cm2以下的要求也正在增加。
若在电镀上述Sn-Ag系合金时将Sn用于阳极,则由于Ag比Sn更难氧化,因此Ag置换析出于阳极面。为了避免这种情况,通常使用Pt等不溶性阳极来进行电镀,但为了使镀液的浓度维持恒定,需要补充镀液中的Sn成分。
通常,在对镀液补充该Sn成分时,一价的氧化亚锡(SnO)向镀液中的溶解速度快于金属锡(Sn)或二价的氧化锡(SnO2),且容易制造补充液,因此氧化亚锡适于用作补充Sn成分的材料。并且,对于这种用于补充Sn成分的氧化亚锡,也会要求与锡一并减少了α射线释放量的氧化亚锡。
以往,公开了一种减少了α射线释放量的氧化亚锡及其制造方法(例如,参考专利文献1(权利要求1、权利要求3)、专利文献2(权利要求1)。)。专利文献1中公开了一种高纯度氧化亚锡,其特征在于,α射线计数为0.001cph/cm2以下,除氧化锡(SnO2)以外的氧化亚锡的纯度为99.999%以上,并且公开了一种高纯度氧化亚锡的制造方法,其特征在于,以作为原料的Sn为阳极,且将添加有一价Sn和制造络合物的成分的电解液用作电解液来进行电解,然后进行中和来制造氧化亚锡。
专利文献2中公开了一种用于对Sn合金镀液补充Sn成分的氧化亚锡粉末的制造方法,其特征在于,包括如下工序:将α射线释放量为0.05cph/cm2以下的金属Sn溶解于酸中来制备酸性水溶液;中和所述酸性水溶液来制备氢氧化亚锡;及对所述氢氧化亚锡进行脱水来制作氧化亚锡,在制备所述酸性水溶液的工序中,在进行溶解之后,将α射线释放量为0.05cph/cm2以下的Sn块浸入酸性水溶液中。
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