[发明专利]非水电解质二次电池

权利要求书

1.一种非水电解质二次电池，其具备正极与负极隔着间隔件卷绕而成的卷绕型的电极体，其中，

所述负极具有：负极集电体、在面向所述电极体的外侧的所述负极集电体的第1面上形成的第1负极合剂层、和在面向所述电极体的内侧的所述负极集电体的第2面上形成的第2负极合剂层，

所述第1负极合剂层包含由Si和含Si材料中的至少一种构成的Si系活性物质，

在所述第1负极合剂层的厚度方向上，所述Si系活性物质的Si基准的含有比例在所述负极集电体侧低于该合剂层的表面侧。

2.一种非水电解质二次电池，其具备正极与负极隔着间隔件卷绕而成的卷绕型的电极体，其中，

所述负极具有：负极集电体、在面向所述电极体的外侧的所述负极集电体的第1面上形成的第1负极合剂层、和在面向所述电极体的内侧的所述负极集电体的第2面上形成的第2负极合剂层，

所述第2负极合剂层包含由Si和含Si材料中的至少一种构成的Si系活性物质，

在所述第2负极合剂层的厚度方向上，所述Si系活性物质的Si基准的含有比例在该合剂层的表面侧低于所述负极集电体侧。

3.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池，其中，

所述第2负极合剂层包含所述Si系活性物质，

在所述第2负极合剂层的厚度方向上，所述Si系活性物质的Si基准的含有比例在该合剂层的表面侧低于所述负极集电体侧。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，

所述第2负极合剂层中的所述Si系活性物质的Si基准的平均含有比例低于所述第1负极合剂层中的所述Si系活性物质的Si基准的平均含有比例。

5.根据权利要求4所述的非水电解质二次电池，其中，

所述第1负极合剂层包含第1层和第2层，所述第1层配置于该合剂层的表面侧，所述第2层与所述第1层相比配置于所述负极集电体侧，且所述第2层的所述Si系活性物质的Si基准的含有比例低于所述第1层，

所述第2负极合剂层包含第3层和第4层，所述第3层配置于所述负极集电体侧，所述第4层与所述第3层相比配置于该合剂层的表面侧，且所述第4层的所述Si系活性物质的Si基准的含有比例低于所述第3层。

6.根据权利要求4或5所述的非水电解质二次电池，其中，

所述第1负极合剂层中的所述Si系活性物质的含有比例为5重量％～25重量％，

所述第2负极合剂层中的所述Si系活性物质的含有比例低于15重量％。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，

所述负极的曲率半径的最小值为1mm～5mm。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，

所述第1负极合剂层和所述第2负极合剂层包含碳系负极活性物质。