[发明专利]摄像元件和电子设备在审
申请号: | 201980036012.0 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN112204744A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 久保井信行;永广侯治 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/76 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 元件 电子设备 | ||
1.一种摄像元件,包括:
基板;
第一像素,其包括设置在所述基板中的第一光电转换区域;
第二像素,其包括与所述第一光电转换区域相邻地设置在所述基板中的第二光电转换区域;
第一分离部,其在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间设置于所述基板中;以及
第二分离部,其将彼此相邻的像素组分离,所述像素组至少包括所述第一像素和所述第二像素;
其中,在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域中的至少一个光电转换区域中,存在有所述第一分离部的至少一个凸部,并且
在所述凸部的侧面上层叠有p型杂质区域和n型杂质区域。
2.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,
所述第一分离部包括所述第一光电转换区域侧的所述凸部和所述第二光电转换区域侧的所述凸部。
3.根据权利要求2所述的摄像元件,其中,
所述第一光电转换区域侧的所述凸部和所述第二光电转换区域侧的所述凸部形成为直线形状。
4.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,
所述第一分离部包括钨层或氧化膜。
5.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,
所述第一分离部由能够让光透过的材料形成。
6.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,
用于形成所述第一分离部的第一材料和用于形成所述第二分离部的第二材料是不同的材料。
7.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,
所述第二分离部包括钨层或氧化膜。
8.根据权利要求1所述的摄像元件,还包括:
金属层,所述金属层位于光入射面侧的相反侧。
9.根据权利要求1所述的摄像元件,还包括:
等离子体滤波器,所述等离子体滤波器位于光入射面侧。
10.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,
所述第一像素包括所述第一光电转换区域和存储区域,所述存储区域保存累积在所述第一光电转换区域中的电荷,并且
所述第一光电转换区域和所述存储区域由所述凸部分隔。
11.根据权利要求10所述的摄像元件,还包括:
传输单元,其将累积在所述第一光电转换区域中的电荷传输到所述存储区域;和
读取单元,其读取传输到所述存储区域的电荷。
12.一种电子设备,其包括摄像元件,所述摄像元件包括:
基板;
第一像素,其包括设置在所述基板中的第一光电转换区域;
第二像素,其包括与所述第一光电转换区域相邻地设置在所述基板中的第二光电转换区域;
第一分离部,其在所述第一光电转换区域与所述第二光电转换区域之间设置于所述基板中;以及
第二分离部,其将彼此相邻的像素组分离,所述像素组至少包括所述第一像素和所述第二像素;
其中,在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域中的至少一个光电转换区域中,存在有所述第一分离部的至少一个凸部,并且
在所述凸部的侧面上层叠有p型杂质区域和n型杂质区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的