[发明专利]硅半导体基板的刻蚀方法、半导体装置的制造方法以及刻蚀液在审
| 申请号： | 201980036030.9 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112204714A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 清水智弘;新宫原正三;元吉真;渡边秀树;渡口繁 | 申请（专利权）人： | 学校法人关西大学;东北微科技股份有限公司;美录德股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 方法 装置 制造 以及 | ||
1.一种硅半导体基板的刻蚀方法，其包括：
在硅半导体基板的表面形成包含贵金属层的催化剂层的工序；以及
使在表面形成有所述催化剂层的硅半导体基板浸渍于包含氢氟酸、氧化剂以及超过0ppm且5ppm以下的表面活性剂的刻蚀液的工序。
2.根据权利要求1所述的硅半导体基板的刻蚀方法，其中，
所述表面活性剂为离子性表面活性剂。
3.根据权利要求1或2所述的硅半导体基板的刻蚀方法，其中，
所述刻蚀液包含0.01ppm以上的所述表面活性剂。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅半导体基板的刻蚀方法，其中，
所述刻蚀液的温度为0℃以上且80℃以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的硅半导体基板的刻蚀方法，其中，
所述催化剂层是将单位催化剂层以一个或多个彼此不接触地配置于硅半导体基板的表面而成的，所述单位催化剂层具有一个以上的在厚度方向上贯通的孔。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的硅半导体基板的刻蚀方法，其中，
所述单位催化剂层的当量圆直径为1微米以上且10000微米以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的硅半导体基板的刻蚀方法，其中，
所述单位催化剂层的在厚度方向贯通的孔的当量圆直径为5nm以上且10000nm以下。
8.一种半导体装置的制造方法，其包括通过权利要求1～7中任一项所述的刻蚀方法对硅半导体基板进行刻蚀的工序。
9.一种刻蚀液，其用于硅半导体基板的刻蚀，所述刻蚀液包含：
氢氟酸、氧化剂以及超过0ppm且5ppm以下的表面活性剂。
10.根据权利要求9所述的刻蚀液，其中，
所述表面活性剂为离子性表面活性剂。
11.根据权利要求9或10所述的刻蚀液，其中，
包含0.01ppm以上的所述表面活性剂。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的刻蚀液，其中，
所述表面活性剂的分子量为100以上且20000以下。
13.根据权利要求9～12中任一项所述的刻蚀液，其中，
所述氧化剂为选自由过氧化氢、硝酸、AgNO3、KAuCl4、HAuCl4、K2PtCl6、H2PtCl6、Fe(NO3)3、Ni(NO3)2、Mg(NO3)2、Na2S2O8、K2S2O8、KMnO4以及K2Cr2O7构成的组中的一种以上。
14.根据权利要求9～13中任一项所述的刻蚀液，其中，
所述氢氟酸的浓度为0.1mol/L以上且20mol/L以下。
15.根据权利要求9～14中任一项所述的刻蚀液，其中，
所述氧化剂的浓度为0.1mol/L以上且10mol/L以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于学校法人关西大学;东北微科技股份有限公司;美录德股份有限公司，未经学校法人关西大学;东北微科技股份有限公司;美录德股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980036030.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
