[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201980036289.3 申请日: 2019-05-23
公开(公告)号: CN112236869A 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 小林英智;池田隆之;中川贵史;广濑丈也;胜井秀一 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/108;H03K3/356
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 刘倜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

第一电流源电路及第二电流源电路,

其中,所述第二电流源电路具有与所述第一电流源电路相同的结构,

所述第一电流源电路包括第一至第四晶体管、第一电容器、第二电容器及第一至第三节点,

所述第一晶体管的第一端子与所述第二晶体管的第一端子及所述第一节点电连接,

所述第一晶体管的背栅极与所述第三晶体管的第一端子及所述第一电容器的第一端子电连接,

所述第三晶体管的第二端子与所述第二节点电连接,

所述第一晶体管的栅极与所述第三节点电连接,

所述第一电容器的第二端子与所述第一晶体管的第二端子电连接,

所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的第一端子及所述第二电容器的第一端子电连接,

所述第二电容器的第二端子与所述第二晶体管的第一端子电连接,

所述第一电流源电路构成为:

当所述第三晶体管处于导通状态时,从所述第二节点向所述第一晶体管的背栅极写入第一校正电压来改变所述第一晶体管的阈值电压;以及

当所述第三晶体管处于截止状态时,利用所述第一电容器保持所述第一晶体管的第二端子与背栅极之间的电压,

并且,所述第一电流源电路的所述第一节点与所述第一电流源电路的所述第三节点及所述第二电流源电路的所述第三节点电连接。

2.一种半导体装置,包括:

第一电流源电路及第二电流源电路,

其中,所述第二电流源电路具有与所述第一电流源电路相同的结构,

所述第一电流源电路包括第一至第五晶体管、第一电容器、第二电容器及第一至第五节点,

所述第一晶体管的第一端子与所述第五晶体管的第一端子及所述第五节点电连接,

所述第二晶体管的第一端子与所述第五晶体管的第二端子及所述第一节点电连接,

所述第一晶体管的背栅极与所述第三晶体管的第一端子及所述第一电容器的第一端子电连接,

所述第三晶体管的第二端子与所述第二节点电连接,

所述第一晶体管的栅极与所述第三节点电连接,

所述第一电容器的第二端子与所述第一晶体管的第二端子电连接,

所述第五晶体管的栅极与所述第四节点电连接,

所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的第一端子及所述第二电容器的第一端子电连接,

所述第二电容器的第二端子与所述第二晶体管的第一端子电连接,

所述第一电流源电路构成为:

当所述第三晶体管处于导通状态时,从所述第二节点向所述第一晶体管的背栅极写入第一校正电压来改变所述第一晶体管的阈值电压;以及

当所述第三晶体管处于截止状态时,利用所述第一电容器保持所述第一晶体管的第二端子与背栅极之间的电压,

所述第一电流源电路的所述第一节点与所述第一电流源电路的所述第四节点及所述第二电流源电路的所述第四节点电连接,

并且,所述第一电流源电路的所述第五节点与所述第一电流源电路的所述第三节点及所述第二电流源电路的所述第三节点电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,

其中所述第一电流源电路包括第六晶体管,

所述第六晶体管的第一端子与所述第一晶体管的第一端子电连接,

并且所述第一电流源电路构成为在所述第五晶体管处于截止状态且所述第六晶体管处于导通状态时监测流过所述第一晶体管的第二端子与所述第六晶体管的第二端子之间的电流来根据所述电流而设定所述第一校正电压。

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