[发明专利]边缘排除控制

权利要求书

1.一种设备，其包含：

排除环组件，其被配置以用于标称直径D的半导体晶片的处理中，该排除环组件包含：

上部环形环件，其具有外直径和小于D的内直径；以及

下部环形环件，其具有外直径和小于D的内直径，其中所述上部环形环件被设置在所述下部环形环件的上方，以在所述上部环形环件与所述下部环形环件之间限定环形气体流动通道。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述环形气体流动通道具有内直径和外直径、以及由所述上部环形环件与所述下部环形环件之间的间隙所限定的宽度，并且其中在所述环形气体流动通道的所述内半径处的所述宽度小于在所述环形气体流动通道的所述外半径处的所述宽度。

3.根据权利要求1所述的设备，其中在所述下部环形环件的内直径处的在所述上部环形环件与所述下部环形环件之间的间隙小于在所述下部环形环件的外直径处的在所述上部环形环件与所述下部环形环件之间的间隙。

4.根据权利要求1所述的设备，其中在所述下部环形环件的内直径处的在所述上部环形环件与所述下部环形环件之间的间隙不大于0.1英寸。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述上部环形环件的内直径小于所述下部环形环件的内直径。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述上部环形环件包含上表面，所述上表面基本上与垂直于所述上部环形环件的中心轴的参考平面平行。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述上部环形环件还包含内缘和从所述内缘延伸至所述上表面的倾斜表面。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述下部环形环件包含上表面，所述上表面基本上与垂直于所述下部环形环件的中心轴的参考平面平行。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述上部环形环件还包含内缘和从所述内缘延伸至所述上表面的倾斜表面。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述上部环形环件的倾斜表面的倾斜度大于所述下部环形环件的倾斜表面的倾斜度。

11.根据权利要求1所述的设备，其还包含基座，所述基座被配置成支撑所述半导体晶片，所述基座包括气体注入器，所述气体注入器被配置成在所述半导体晶片的边缘区域处注入气体。

12.根据权利要求1所述的设备，其还包含支撑所述排除环组件的基座，所述基座包括上表面以及限定气体通道的在所述上表面中的凹部。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述凹部与所述基座的中心相距距离Y，所述距离Y大于所述下部环形环件的内直径。

14.一种沉积室，其包括：

基座，其包含上表面和在所述上表面中的环形凹部，所述环形凹部被配置为与背侧气体源流体连接；

排除环组件，其被安装于所述基座上，其中所述排除环组件包含具有内直径和外直径的上部环形环件以及具有内直径和外直径的下部环形环件，其中所述上部环形环件被设置于所述下部环形环件的上方，以在所述上部环形环件与所述下部环形环件之间限定下部环形气体流动通道；以及

喷头，其被设置于所述基座和所述排除环组件的上方，以在所述喷头与所述上部环形环件之间限定上部环形气体流动通道。

15.一种方法，其包含：

在根据权利要求14所述的沉积室中的所述基座上提供圆形晶片，所述圆形晶片具有标称直径D，其中D大于所述上部环形环件及所述下部环形环件的内直径，并且其中所述排除环组件被设置于所述圆形晶片的外缘的上方；

通过所述喷头而在所述圆形晶片上方提供工艺气体的径向流；以及

通过所述基座中的所述环形凹部将背侧气体提供至所述圆形晶片的外缘。