[发明专利]从半导体衬底移除半导体层的方法

说明书

一种使用剥离技术通过贴附膜从衬底移除半导体层的方法，特别是从基于III族氮化物的衬底移除基于III族氮化物的半导体层的方法。该方法包括经由外延横向过度生长法在衬底上将半导体层形成为岛状图案，其中水平沟槽从层的侧面向内延伸。通过升高或降低温度并向贴附膜施加压力，在层中引入应力，使得膜牢固地适合层的形状。衬底与贴附到层的膜之间的热膨胀的差异在层与衬底之间的界面处引发开裂，使得可以从衬底移除层。一旦移除层，就可以回收衬底，从而节省器件制造成本。

相关申请的交叉引用

本申请根据35 USC第119(e)条要求以下共同未决且共同转让的申请的权益：

由Srinivas Gandrothula和Takeshi Kamikawa于2018年5月30日提交的、题为“从半导体衬底移除半导体层的方法(METHOD OF REMOVING SEMICONDUCTING LAYERS FROM ASEMICONDUCTING SUBSTRATE)”、代理人案卷号为GC 30794.0682USP1(UC 2018-614-1)的美国临时申请序列号62/677,833；

该申请通过引用并入本文。

本申请与以下共同未决且共同转让的申请相关：

由Takeshi Kamikawa和Srinivas Gandrothula于2019年5月17日提交的、题为“用于分割一个或多个器件的条的方法(METHOD FOR DIVIDING A BAR OF ONE OR MOREDEVICES)”、代理人案卷号为30794.0681WOU1(UC 2018-605-2)的PCT国际专利申请号PCT/US19/32936，该申请根据35USC第119(e)条要求由Takeshi Kamikawa和SrinivasGandrothula于2018年5月17日提交的、题为“用于分割一个或多个器件的条的方法(METHODFOR DIVIDING A BAR OF ONE OR MORE DEVICES)”)、代理人案卷号为GC 30794.0682USP1(UC 2018-605-1)的共同未决且共同转让的美国临时申请序列号62/672,913的权益；

由Takekawa Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2018年5月7日提交的、题为“移除衬底的方法(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE)”、代理人案卷号为30794.0653WOU1(UC2017-621-2)的PCT国际专利申请号PCT/US18/31393，该申请根据35USC第119(e)条要求由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、LiHongjian和Daniel A.Cohen于2017年5月5日提交的、题为“移除衬底的方法(METHOD OFREMOVING A SUBSTRATE)”、代理人案卷号为30794.0653USP1(UC2017-621-1)的共同未决且共同转让的美国临时专利申请号62/502,205号的权益；以及

由Kamikawa Takeshi、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2018年9月17日提交的、题为“使用裂开技术移除衬底的方法(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH ACLEAVING TECHNIQUE)”、代理人案卷号为30794.0659WOU1(UC 2018-086-2)的PCT国际专利申请号PCT/US18/51375，该申请根据35USC第119(e)条要求由Takeshi Kamikawa、SrinivasGandrothula和Hongjian Li于2017年9月15日提出的、题为“使用裂开技术移除衬底的方法(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE)”、代理人案卷号为30794.0659USP1(UC2018-086-1)的共同未决且共同转让的美国临时专利申请号62/559,378的权益；

所有这些申请都通过引用并入本文。