[发明专利]用于半导体处理腔室中的磁控管组件的方法和设备

权利要求书

1.一种磁控管组件，所述磁控管组件包括：

分流板，所述分流板用于支撑所述磁控管组件；

环磁极组件，所述环磁极组件耦接至所述分流板且具有环磁极、线性磁极、和中心磁极，所述线性磁极从所述环磁极延伸到位于所述磁控管组件的中心处的所述中心磁极中；和

开环磁极电弧组件，所述开环磁极电弧组件耦接至所述分流板且围绕所述中心磁极的至少一部分，而不与所述线性磁极相交。

2.根据权利要求1所述的磁控管组件，其中所述开环磁极电弧组件具有大约180度至大约350度的弧长。

3.根据权利要求1所述的磁控管组件，所述磁控管组件安装在处理腔室中，所述开环磁极电弧组件的开口部分靠近所述处理腔室内的屏蔽件的外壁。

4.根据权利要求1所述的磁控管组件，其中，所述环磁极组件具有均匀的磁体分布，并且所述开环磁极电弧组件具有均匀的磁体分布。

5.根据权利要求1所述的磁控管组件，其中所述开环磁极电弧组件的第一宽度和所述环磁极的第二宽度近似相等。

6.如权利要求1所述的磁控管组件，其中所述环磁极与所述开环磁极电弧组件之间的第一距离和所述开环磁极电弧组件与所述中心磁极之间的第二距离近似相等。

7.如权利要求1所述的磁控管组件，其中所述开环磁极电弧组件的第一端与所述线性磁极之间的第三距离和所述开环磁极电弧组件的第二端与所述线性磁极之间的第四距离近似相等。

8.根据权利要求1所述的磁控管组件，其中所述环磁极具有围绕所述中心磁极的中心点的第一恒定半径，并且所述开环磁极电弧组件具有围绕所述中心磁极的中心点的第二恒定半径，所述第一恒定半径大于所述第二恒定半径。

9.根据权利要求1所述的磁控管组件，其中所述环磁极与所述开环磁极电弧组件之间的第一距离和所述开环磁极电弧组件与所述中心磁极之间的第二距离是不同的。

10.一种用于处理半导体的设备，包括：

处理腔室，所述处理腔室具有形成内部容积的腔室主体和顶部适配器组件；和

至少一个阴极，所述至少一个阴极设置在所述顶部适配器组件中，所述至少一个阴极具有磁控管组件，所述磁控管组件被配置成产生磁场，所述磁场的靠近所述内部容积的壁的一部分具有降低的磁场强度。

11.根据权利要求10所述的设备，所述磁控管组件包括：

分流板，所述分流板用于支撑所述磁控管组件；

环磁极组件，所述环磁极组件耦接至所述分流板且具有环磁极、线性磁极、和中心磁极，所述线性磁极从所述环磁极延伸到位于所述磁控管组件的中心处的所述中心磁极中；和

开环磁极电弧组件，所述开环磁极电弧组件耦接至所述分流板且围绕所述中心磁极的至少一部分而不与所述线性磁极相交，

其中所述磁控管组件被配置为定向成使得所述开环磁极电弧组件的开口朝向所述内部容积的所述壁加以定向。

12.如权利要求11所述的设备，其中所述开环磁极电弧组件的第一宽度和所述环磁极的第二宽度近似相等。

13.如权利要求11所述的设备，其中所述环磁极与所述开环磁极电弧组件之间的第一距离和所述开环磁极电弧组件与所述中心磁极之间的第二距离是不同的。

14.一种阴极组件，包括：

磁控管组件，所述磁控管组件被配置为产生磁场，所述磁场的一部分具有降低的磁场强度，并且所述磁控管组件被配置为定向成使得经安装时具有所述降低的磁场强度的所述磁场的所述部分紧邻于处理腔室的内部容积的壁。

15.根据权利要求14所述的阴极组件，其中所述磁控管组件包括：

分流板，所述分流板用于支撑所述磁控管组件；

环磁极组件，所述环磁极组件耦接至所述分流板且具有环磁极、线性磁极和中心磁极，所述线性磁极从所述环磁极延伸到位于所述磁控管组件的中心处的所述中心磁极中；和

开环磁极电弧组件，所述开环磁极电弧组件耦接至所述分流板且围绕所述中心磁极的至少一部分而不与所述线性磁极相交，

其中所述阴极组件被配置成安装在处理腔室中，使得所述磁控管组件以所述开环磁极电弧组件的开口朝向所述处理腔室的外壁加以定向。