[发明专利]离子迁移谱仪和用于通过离子迁移谱分析样本的方法

权利要求书

1.一种用于借助于离子迁移谱仪(1，2)通过离子迁移谱来分析样本的方法，所述离子迁移谱仪(1，2)至少包括第一漂移室(14)和用于将离子受控地转移到所述第一漂移室(14)中的可切换的第一离子门(10)，其中所述第一离子门(10)被实现为至少包括第一反电极(11)和第一注入电极(12)的场切换离子门，其中第一电离室(13)形成在所述第一反电极(11)与所述第一注入电极(12)之间，待通过离子迁移谱分析的离子能够从电离源(3)被馈送到所述第一电离室中，其中至少一个第一附加电极(19)布置在所述第一离子门(10)与所述第一漂移室(14)之间，借助于所述第一离子门(10)转移到所述第一漂移室(14)中的离子附加地能够受到所述第一附加电极的影响，其中借助于电离源(3)，待分析的离子从所述样本中产生并且被提供在所述第一电离室(13)中，并且在工艺中产生的所述离子在所述第一离子门(10)的控制下被引导到所述第一漂移室(14)中，其中所述第一电离室(13)至少在离子产生时段期间基本上没有电场，其特征在于以下特征a)、b)中的一者或两者：

a)在离子包被转移到所述第一漂移室(14)中之前，通过切换所述第一注入电极(12)与所述第一反电极(11)之间的电势差，被设置在所述第一电离室(13)中的所述离子包在第一压缩步骤中被第一次压缩，并且在经过所述第一注入电极(12)之后，通过切换所述第一附加电极(19)与所述第一注入电极(12)之间的电势差，所述离子包至少在第二压缩步骤中被第二次压缩，

b)至少在所述离子产生时段期间，通过所述第一附加电极(19)或至少附加屏蔽电极将在所述第一电离室(13)中产生的离子与在所述第一漂移室(14)中产生的电场部分基本上屏蔽开。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子门(10)和/或所述第二离子门(20)的打开和关闭通过相应的离子门(10，20)的所述注入电极(12，22)和/或所述反电极(11，21)的电势切换来实现。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述第一压缩步骤中，所述第一反电极(11)与所述第一注入电极(12)之间的电势梯度(D)大于所述漂移室(14、24)中的电势梯度(D)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述第二压缩步骤中，所述第一注入电极(12)与所述第一附加电极(19)之间的电势梯度(D)大于所述漂移室(14，24)中的所述电势梯度(D)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，与在所述第一压缩步骤中相比，所述第一注入电极(12)与所述第一附加电极(19)之间的所述电势梯度(D)在所述第二压缩步骤中更大。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在所述第一压缩步骤中，所述第一注入电极(12)与所述第一附加电极(19)之间的所述电势梯度(D)基本上等于所述漂移室(14，24)的所述电势梯度(D)。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在所述第一压缩步骤中，所述第一注入电极(12)与所述第一附加电极(19)之间的所述电势梯度(D)大于所述第一反电极(11)与所述第一注入电极(12)之间的所述电势梯度(D)、并且大于所述漂移室(14，24)的所述电势梯度(D)。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，至少在所述离子产生时段期间，所述第一注入电极(12)与用于屏蔽的所述电极、即所述第一附加电极(19)或所述屏蔽电极之间的所述电势梯度(D)等于零，或者与所述漂移室(14，24)中的所述电势梯度(D)相反。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，在切换到所述第一压缩步骤时，所述第一注入电极(12)与所述第一附加电极(19)之间的所述电势梯度(D)晚于所述第一反电极(11)与所述第一注入电极(12)之间的所述电势梯度(D)被切换。