[发明专利]光接收装置及其制造方法在审
申请号: | 201980037600.6 | 申请日: | 2019-05-20 |
公开(公告)号: | CN112236871A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 中岛史人;山田友辉;名田允洋 | 申请(专利权)人: | 日本电信电话株式会社 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 庄锦军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种光接收装置,包括:
波导型的半导体光放大器,形成在第一衬底的主表面上,并且在与所述主表面平行的方向上引导波;
第一反射部,由所述半导体光放大器的一端的端面形成,所述一端的端面被形成为相对于所述第一衬底的所述主表面倾斜,使得输入到所述第一衬底的背面的输入光被输入;
第二反射部,由所述半导体光放大器的另一端的端面形成,所述另一端的端面被形成为相对于所述第一衬底的所述主表面倾斜,使得输出光朝所述第一衬底的背面输出;
第二衬底,所述第二衬底的背面结合到所述第一衬底的背面;以及
平面型的光电二极管,形成在所述第二衬底的主表面上的、所述光电二极管能够接收从所述第二反射部输出的输出光的位置处。
2.根据权利要求1所述的光接收装置,还包括:
第一聚光透镜,形成在输入到所述第一反射部的输入光的光路上的、所述第一衬底的背面或所述第二衬底的背面上;以及
第二聚光透镜,形成在从所述第二反射部输出并输入到所述光电二极管的输出光的光路上的、所述第一衬底的背面或所述第二衬底的背面上。
3.一种光接收装置的制造方法,包括:
第一步骤,在第一衬底的主表面上形成波导型的半导体光放大器,所述波导型的半导体光放大器在与所述主表面平行的方向上引导波;
第二步骤,在第二衬底的主表面上形成平面型的光电二极管;以及
第三步骤,将所述第一衬底的背面与所述第二衬底的背面彼此结合,
其中,由所述半导体光放大器的一端的端面形成第一反射部,所述一端的端面被形成为相对于所述第一衬底的主表面倾斜,使得输入到所述第一衬底的背面的输入光被输入,
由所述半导体光放大器的另一端的端面形成第二反射部,所述另一端的端面被形成为相对于所述第一衬底的主表面倾斜,使得输出光朝所述第一衬底的背面输出,以及
在所述第二衬底的主表面上的、所述光电二极管能够接收从所述第二反射部输出的输出光的位置处形成所述光电二极管。
4.根据权利要求3所述的光接收装置的制造方法,还包括:
第四步骤,在输入到所述第一反射部的输入光的光路上的、所述第一衬底的背面或所述第二衬底的背面上形成第一聚光透镜,以及
第五步骤,在从所述第二反射部输出并输入到所述光电二极管的输出光的光路上的、所述第一衬底的背面或所述第二衬底的背面上形成第二聚光透镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的