[发明专利]半导体激光器和用于半导体激光器的制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光器(1)，其具有：

-半导体层序列(2)，用于产生激光辐射的有源区(22)位于所述半导体层序列中，

-脊形波导(3)，所述脊形波导构成为从所述半导体层序列(2)向外的凸起部，

-电接触层(5)，所述电接触层直接位于脊形波导(3)上，以将电流馈入到所述半导体层序列(2)中，

-金属的电连接区域(6)，所述金属的电连接区域直接位于所述接触层(5)上并且用于将所述半导体激光器(1)外部电连接于所述半导体层序列(2)的上侧(20)，以及

-金属的断裂涂层(7)，所述断裂涂层延伸直至直接接触到所述半导体层序列(2)的棱面(27)并且所述断裂涂层位于所述脊形波导(3)上，

其中，所述断裂涂层(7)没有电学功能并且相比于所述脊形波导(3)区域中的半导体层序列(2)具有更低的声速。

2.根据前一项权利要求所述的半导体激光器(1)，其中

-所述棱面(27)被构成为用于所述激光辐射的谐振器的谐振器端面，

-所述断裂涂层(7)具有与所述连接区域(6)不同的层结构，

-所述断裂涂层(7)分别仅沿着所述棱面(27)的一部分进行设置，

-所述断裂涂层(7)由重合布置的多个子层组成，并且

-所述断裂涂层(7)的厚度在0.1μm到3μm之间，包括0.1μm和3μm。

3.根据上述权利要求之一所述的半导体激光器(1)，其中，所述断裂涂层(7)与所述连接区域(6)以及与所述半导体层序列(2)电绝缘。

4.根据前一项权利要求所述的半导体激光器(1)，其中，在平行于所述脊形波导(3)的方向上，所述断裂涂层(7)和所述连接区域(6)之间的间距在2μm到50μm之间，包括2μm和5μm。

5.根据权利要求1或2所述的半导体激光器(1)，其中，所述断裂涂层(7)直接连接到所述连接区域(6)并且构成为所述连接区域(6)的朝向所述棱面(27)的延续部。

6.根据上述权利要求之一所述的半导体激光器(1)，其中，在所述棱面(27)上观察，所述断裂涂层(7)被限定在所述脊形波导(3)的上侧(20)处，并且部分地或完全地覆盖所述脊形波导(3)的上侧(20)。

7.根据权利要求1至5之一所述的半导体激光器(1)，其中，在所述棱面(27)上观察，所述断裂涂层(7)U形地包围脊形波导(3)，使得所述脊形波导(3)的上侧(20)和所述脊形波导(3)的侧面(37)分别完全地由断裂涂层(7)覆盖。

8.根据权利要求1至5之一所述的半导体激光器(1)，其中，在所述棱面(27)上观察，所述断裂涂层(7)分别完全地覆盖脊形波导(3)的侧面(37)，并且

其中，所述脊形波导(3)的上侧(20)仅部分地由断裂涂层(7)覆盖或者没有被断裂涂层(7)覆盖。

9.根据前述两项权利要求之一所述的半导体激光器(1)，其中，在所述棱面(27)上观察，所述断裂涂层(7)在侧面(37)处具有与在上侧(20)处不同的厚度。

10.根据上述权利要求之一所述的半导体激光器(1)，其中，在所述棱面(27)上观察，所述断裂涂层(7)相对于脊形波导(3)非对称地构成。

11.根据上述权利要求之一所述的半导体激光器(1)，其中，在俯视图中观察，所述断裂涂层(7)成形为平行于相应棱面(27)的条状物。

12.根据权利要求1至10之一所述的半导体激光器(1)，其中，在俯视图中观察，所述断裂涂层(7)具有多个条状物，所述条状物垂直于相应的棱面(27)。