[发明专利]包含具有聚硅烷骨架的嵌段和具有聚硅氮烷骨架的嵌段而成的嵌段共聚物

说明书

[问题]本发明涉及一种埋设具有狭窄的宽度以及高的高宽比的沟、并且能够实现厚膜化的新型的聚合物。[解决手段]一种嵌段共聚物，其包含：具有含5个以上硅的聚硅烷骨架的直链或环状的嵌段A，和具有含20个以上硅的聚硅氮烷骨架的嵌段B。

技术领域

本发明涉及包含具有聚硅烷骨架的嵌段和具有聚硅氮烷骨架的嵌段的嵌段共聚物。

背景技术

在电子设备、尤其是半导体设备的制造中，在晶体管元件和位线之间、位线和电容器之间、电容器和金属配线之间、多个金属配线之间等有时存在层间绝缘膜的形成。进一步地，有时在设置于基板表面等的隔离槽中埋设有绝缘物质。进一步地，有时使基板表面形成半导体元件后，使用密封材料形成被覆层制成封装组件。这样的层间绝缘膜或被覆层多由二氧化硅质材料形成。

作为二氧化硅质膜的形成方法，可以采用化学气相沉积法(CVD法)、溶胶凝胶法、将包含含硅聚合物的组合物涂布以及烧制的方法等。这些方法中，由于比较简便，因此多采用使用了组合物的二氧化硅质膜的形成方法。

为了形成这样的二氧化硅质膜，将聚硅氮烷、聚硅氧烷、聚硅氧氮烷、或聚硅烷等包含含硅聚合物的组合物涂布到基板等的表面，进行烧制，从而使聚合物中所含的硅氧化，形成二氧化硅质膜。

在半导体设备中，常寻求一种材料，能够埋设具有较窄的宽度以及高的高宽比的沟而不发生空隙等的缺陷，并且在烧制时能够形成高密度的膜。进而，3D NAND技术加速过程中，寻求比以往更加能够厚膜化的材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-509414号公报

发明内容

发明所要解决的课题

提供埋设具有狭窄的宽度以及高得高宽比的沟、并且能够实现厚膜化的新型的聚合物。

用于解决课题的手段

本发明的嵌段共聚物，包含以下：

具有含5个以上硅的聚硅烷骨架的直链或环状的嵌段A，和

具有含20个以上硅的聚硅氮烷骨架的嵌段B，

嵌段A的至少1个硅和嵌段B的至少1个硅单键键合和/或通过含硅而成的交联基连接。

另外，本发明的嵌段共聚物的制造方法的特征在于，包含以下工序：

(A)对含5个以上硅的环状聚硅烷进行光照射的工序，

(B)制备包含经光照射过的含5个以上硅的环状聚硅烷和含20个以上硅的聚硅氮烷的混合物的工序，以及

(C)对前述混合物进行光照射的工序。

发明的效果

本发明的嵌段共聚物可能实现埋设具有狭窄的宽度以及高的高宽比的沟、并且厚膜化。另外，若使用该嵌段共聚物形成被膜，则能够形成高密度的膜。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行详细说明。以下，本说明书中，只要没有特别限定，记号、单位、省略号、用语具有以下的意义。

本说明书中，在使用～表示数值范围时，它们包含两个端点，单位共通。例如，5～25摩尔％意味着5摩尔％以上且25摩尔％以下。

本说明书中，烃是指包含碳和氢、根据需要包含氧或氮的物质。烃基是指1价或2价以上的烃。