[发明专利]用于多个行锤击刷新地址序列的设备及方法在审
申请号: | 201980037974.8 | 申请日: | 2019-06-18 |
公开(公告)号: | CN112236822A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 诸桥圣;名越亮;何源;伊藤丰 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406;G11C11/4076 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 多个行锤击 刷新 地址 序列 设备 方法 | ||
本发明的实施例涉及用于产生多个行锤击地址刷新序列的设备及方法。实例设备可包含地址加扰器及刷新控制电路。所述地址加扰器可接收第一地址、响应于第一控制信号输出第二地址及响应于第二控制信号输出第三地址。所述第二地址可物理邻近所述第一地址,且所述第三地址可物理邻近所述第二地址。所述刷新控制电路可在所述第一控制信号活动时对所述第二地址执行刷新操作且在所述第二控制信号活动时对所述第三地址执行所述刷新操作。
此申请案主张2018年6月19日申请的第16/012,679号美国申请案的优先权,所述美国申请案出于任何目的以全文引用方式并入本文中。
背景技术
本发明大体上涉及半导体装置,且更明确来说,涉及半导体存储器装置。特定来说,本发明涉及易失性存储器,例如动态随机存取存储器(DRAM)。信息可作为积累在用作存储器单元的电容器中的电荷而存储在存储器中,除非进行周期性刷新,否则所述电荷将随时间衰减。
随着存储器组件在尺寸上减小,存储器单元密度大大增加。对特定存储器单元或存储器单元群组的重复存取(通常称为“行锤击(hammer)”)可导致附近存储器单元中的数据降级速度增加。可希望识别及刷新受行锤击影响的存储器单元。
发明内容
在至少一个方面中,本发明可涉及一种可包含地址加扰器及刷新控制电路的设备。所述地址加扰器可接收第一地址、可响应于第一控制信号输出第二地址及可响应于第二控制信号输出第三地址。所述第二地址可物理邻近所述第一地址,且所述第三地址可物理邻近所述第二地址。所述刷新控制电路可在所述第一控制信号活动时对所述第二地址执行刷新操作且可在所述第二控制信号活动时对所述第三地址执行所述刷新操作。
所述设备可包含可响应于刷新命令周期性地输出所述第一控制信号及所述第二控制信号中的每一者的循环发生器。所述循环发生器可比所述第二控制信号更频繁地输出所述第一控制信号。
所述设备可包含可响应于刷新命令产生刷新地址的刷新地址发生器。所述刷新控制电路可在所述第一控制信号及所述第二控制信号中的每一者非活动时进一步对所述刷新地址执行所述刷新操作。所述设备还可包含耦合到所述地址加扰器的地址比较器。所述地址比较器可将多个接收到的地址存储为跟踪记录、从地址输入电路接收所述第一地址及响应于检测到所述第一地址与所述多个接收到的地址中的一者之间的地址匹配将所述第一地址输出到所述地址加扰器。
在至少一个方面中,本发明可涉及一种可包含地址加扰器及刷新循环发生器的设备。所述地址加扰器可接收地址,且还可响应于第一命令信号基于所述接收到的地址提供第一刷新地址及可响应于所述第一命令信号及第二命令信号基于所述接收到的地址提供第二刷新地址。所述刷新循环发生器可依第一速率接收刷新信号,且进一步可基于所述第一速率依第二速率输出所述第一命令信号及可基于所述第二速率依第三速率输出所述第二命令。
所述第二速率可比所述第三速率更频繁。所述第一命令信号可响应于所述刷新信号的数次激活而激活。所述第二命令信号可响应于所述第一命令信号的数次激活而激活。所述设备还可包含锤击地址检测器,其可接收当前地址、确定所述当前地址是否是行锤击地址及将所述行锤击地址提供到所述地址加扰器。
所述第一刷新地址可包含多个第一刷新地址,每一第一刷新地址对应于存储器的多个第一字线中的一者;且所述第二刷新地址可包含多个第二刷新地址,每一第二刷新地址对应于存储器的多个第二字线中的一者。所述地址加扰器还可基于与所述接收到的地址的第一关系计算所述第一刷新地址及基于与所述接收到的地址的第二关系计算所述第二刷新地址。所述地址加扰器还可基于与所述接收到的地址的关系计算所述第一刷新地址及基于与所述第一刷新地址的关系计算所述第二刷新地址。
所述设备可包含可依所述第一速率输出自动刷新地址的刷新地址发生器。所述第一刷新地址及所述第二刷新地址可中断所述自动刷新地址中的至少一些作为输出。
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