[发明专利]基板处理方法、改性装置以及基板处理系统

权利要求书

1.一种基板处理方法，其是处理基板的基板处理方法，其中，

该基板处理方法具有：

改性工序，向至少所述基板的背面表层或所述基板的内部照射激光而形成改性层；和

表面处理工序，其在所述改性工序之后，在保持着所述基板的背面的状态下处理该基板的表面。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述改性工序中，在至少第1基板的背面表层或所述第1基板的内部形成所述改性层，

在所述表面处理工序中，接合所述第1基板的表面和第2基板的表面。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

在所述改性工序中，在所述第2基板的背面表层形成所述改性层。

4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

所述表面处理工序具有：

配置工序，在对所述第1基板的背面进行真空吸引而利用第1保持部保持、对所述第2基板的背面进行真空吸引而利用第2保持部保持了之后，使该第1基板和该第2基板相对对置；

推压工序，其在所述配置工序之后，使设置于所述第1保持部并推压所述第1基板的中心部的推动构件下降，利用该推动构件推压所述第1基板的中心部和所述第2基板的中心部而使所述第1基板的中心部与所述第2基板的中心部抵接；以及

接合工序，其在所述推压工序之后，在推压着所述第1基板的中心部和所述第2基板的中心部的状态下，从所述第1基板的中心部朝向外周部使所述第1基板和所述第2基板依次接合。

5.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

该基板处理方法在所述改性工序之后具有对所述第1基板的背面进行磨削的加工工序，

在所述改性工序中，所述改性层形成于在所述加工工序中所述第1基板包括该改性层在内被磨削的位置。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述改性工序中，在所述基板的背面表层形成所述改性层，

在所述表面处理工序中，对所述基板的表面进行光刻处理中的曝光处理。

7.一种改性装置，其是在以保持着基板的背面的状态处理基板的表面之前在该基板形成改性层的改性装置，其中，

该改性装置具有向至少所述基板的背面表层或所述基板的内部照射激光而形成改性层的激光照射部。

8.一种基板处理系统，其是处理基板的基板处理系统，其中，

该基板处理系统具有：

改性装置，其具备向至少第1基板的背面表层或所述第1基板的内部照射激光而形成改性层的激光照射部；

接合装置，其接合形成有所述改性层的所述第1基板的表面和第2基板的表面；以及

输送装置，其向所述改性装置和所述接合装置输送所述第1基板和所述第2基板。

9.根据权利要求8所述的基板处理系统，其中，

所述改性装置在所述第2基板的背面表层形成所述改性层。

10.根据权利要求8所述的基板处理系统，其中，

所述接合装置具有：

第1保持部，其吸附保持所述第1基板的背面；

第2保持部，其吸附保持所述第2基板的背面；以及

推动构件，其设置于所述第1保持部，推压所述第1基板的中心部。

11.根据权利要求8所述的基板处理系统，其中，

该基板处理系统具有对形成有所述改性层的所述第1基板的背面进行磨削的加工装置，

所述改性装置在以下位置形成所述改性层：在所述加工装置中所述第1基板包括该改性层在内被磨削的位置。

12.一种基板处理系统，其是处理基板的基板处理系统，其中，

该基板处理系统具有：

改性装置，其具备向至少所述基板的背面表层或所述基板的内部照射激光而形成改性层的激光照射部；

涂敷装置，其向所述基板的表面涂敷涂敷液；

显影装置，其对曝光处理后的所述基板进行显影处理；以及

输送装置，其向所述改性装置、所述涂敷装置以及所述显影装置输送所述基板，

所述改性装置在以保持着所述基板的背面的状态对该基板的表面进行曝光处理之前形成所述改性层。