[发明专利]可变形膜及其补偿结构

说明书

传感器包括基材、电极、可变形膜、和补偿结构。基材包括第一侧和第二侧。第一侧与第二侧相反。基材包括在其第一侧上的腔室。电极位于基材第一侧上的腔室底部处。可变形膜位于基材的第一侧上。可变形膜封罩腔室并且响应于外部刺激而变形。补偿结构连接至可变形膜的外周。补偿结构响应于温度变化和热系数失配而产生了与可变形膜弯曲力相反的弯曲力。

相关申请

本申请要求2018年8月22日提交的标题为“可变形膜及其补偿结构”的美国非临时申请号16/108,858的权益和优先权，其继而要求2018年4月9日提交的标题为“通过补偿环实现的隔膜稳定性”的美国临时申请号62/655,139的权益和优先权，所有申请通过引用以其全文纳入本文。

背景技术

MEMS(“微机电系统”)是一类使用类似半导体的工艺制造的器件。MEMS器件上的电极通常由非硅材料制成。可变形膜可用于在MEMS器件中进行传感。不幸的是，MEMS器件中的可变形膜对温度变化敏感，并且可能响应于温度变化以及由于热系数失配而弯曲。为了补偿可变形膜在不同温度下的弯曲，可以使用对不同温度下的传感器输出进行校准。不幸的是，在不同的温度下校准传感器既费时又耗电，并且不能覆盖较宽的温度范围。此外，对不同温度下的传感器输出进行校准并未校准和考虑随时间变化的漂移。

发明内容

因此，需要解决可变形膜响应于温度变化的弯曲，并且补偿所产生的偏移。在一些实施方式中，在可变形膜外周上使用补偿结构，该补偿结构响应于温度变化而施加与可变形膜的力相反的力。

在一些实施方式中，传感器包括基材、电极、可变形膜、和补偿结构。基材包括第一侧和第二侧。第一侧与第二侧相反。基材包括在其第一侧上的腔室。电极位于基材第一侧上的腔室底部处。可变形膜位于基材的第一侧上。可变形膜封罩腔室并且响应于外部刺激而变形。补偿结构连接至可变形膜。补偿结构响应于温度变化和热系数失配而产生了与可变形膜弯曲力相反的弯曲力。

通过阅读以下详细描述，这些和其它特征和优点将变得显而易见。

附图说明

图1A-1H显示了根据一些实施方式的MEMS器件。

图2A-2F显示了根据一些实施方式的变形膜和补偿结构的俯视图。

图3A-3G显示了根据一些实施方式制造MEMS器件。

图4显示了根据一些实施方式制造MEMS器件的流程图示例。

说明

在更详细描述多种实施方式前，应当理解，因为在该实施方式中的元件可以改变，所述实施方式是没有限制的。同样应该理解的是，本文描述和/或显示的具体实施方式具有一些元件，所述元件可以容易地与具体实施方式分离、且可以任选地与若干其他实施方式中任一组合或替代本文所述的若干其他实施方式中任一的元件。

还应理解，此处使用的术语只是为描述具体概念，并且该术语并未意图进行限制。除非另有限定，在本文中使用所有技术和科学术语均与实施方式所涉及领域的通常理解一致。