[发明专利]用于确定存储器单元的预期数据使用期限的设备及方法

说明书

本发明揭示一种操作存储器的方法，其包含：将中间读取电压施加到所选择存取线用于读取操作；确定指示响应于将所述中间读取电压施加到所述所选择存取线而激活的连接到所述所选择存取线的多个存储器单元的存储器单元数目的值；响应于指示响应于将所述中间读取电压施加到所述所选择存取线而激活的所述多个存储器单元的所述存储器单元数目的所述值而确定所述多个存储器单元的预期数据使用期限。

相关申请案

本专利申请案涉及共同转让的与本专利申请案同日申请的名称为“用于确定存储器单元的预期数据使用期限的设备及方法(APPARATUS AND METHODS FOR DETERMINING ANEXPECTED DATA AGE OF MEMORY CELLS)”的第16/161,256号美国专利申请案。

技术领域

本发明大体上涉及存储器，且特定来说，在一或多个实施例中，本发明涉及用于确定存储器单元的预期数据使用期限的设备及方法，其可用于确定所述存储器单元的数据状态。

背景技术

存储器(例如存储器装置)通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，其包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。

快闪存储器已发展为用于各种电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功耗的单晶体管存储器单元。通过电荷存储结构(例如浮动栅极或电荷陷阱)的编程(其通常称为写入)或其它物理现象(例如相变或偏振)的存储器单元的阈值电压(Vt)变化确定每一存储器单元的数据状态(例如数据值)。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、车辆、无线装置、移动电话及可装卸存储器模块，且非易失性存储器的用途在继续扩展。

NAND快闪存储器是快闪存储器装置的常见类型，其因布置基本存储器单元配置的逻辑形式而如此命名。通常，NAND快闪存储器的存储器单元阵列经布置使得阵列的行的每一存储器单元的控制栅极连接在一起以形成例如字线的存取线。阵列的列包含一起串联连接于一对选择门(例如源极选择晶体管与漏极选择晶体管)之间的存储器单元串(通常称作NAND串)。每一源极选择晶体管可连接到源极，而每一漏极选择晶体管可连接到例如列位线的数据线。在一串存储器单元与源极之间及/或存储器单元串与数据线之间使用多于一个选择门的变型是众所周知的。

在编程存储器时，存储器单元通常可编程为所谓的单电平单元(SLC)。SLC可使用单存储器单元来表示数据的1个数字(例如1个位)。例如，在SLC中，2.5V或更高的Vt可指示经编程存储器单元(例如表示逻辑0)，而-0.5V或更低的Vt可指示经擦除存储器单元(例如表示逻辑1)。此存储器可通过包含多电平单元(MLC)、三电平单元(TLC)、四电平单元(QLC)等等或其组合来实现较高存储容量电平，其中存储器单元具有使更多数据数字能够存储于每一存储器单元中的多个电平。例如，MLC可经配置以每存储器单元存储由4个Vt范围表示的2个数据数字，TLC可经配置以每存储器单元存储由8个Vt范围表示的3个数据数字，QLC可经配置以每存储器单元存储由16个Vt范围表示的4个数据数字，等等。

感测(例如读取或验证)存储器单元的数据状态通常涉及检测存储器单元是否响应于施加到其控制栅极的特定电压而激活，例如通过检测连接到存储器单元的数据线是否经历由流动通过存储器单元的电流引起的电压电平改变。依靠存储电荷电平来界定不同Vt范围的存储器通常经受随时间电荷损失以导致Vt范围的移位及扩展。此可导致受感测存储器单元的数据状态的不准确确定(归因于其Vt随时间的改变)。

附图说明

图1是根据实施例的与作为电子系统的部分的处理器通信的存储器的简化框图。