[发明专利]相变材料显示装置

权利要求书

1.一种显示器，包括：

多个像素，其中：

每个像素包括相变材料元件，所述相变材料元件包括能在相对于彼此具有不同折射率的多个稳定状态之间进行热切换的相变材料；

每个像素包括切换装置，所述切换装置被配置为响应于所述切换装置接收的控制信号，加热所述像素的所述相变材料，从而对所述像素的所述相变材料进行热切换；以及

所述切换装置包括单个电子组件，所述单个电子组件能够通过所述控制信号在不同状态之间切换，并被配置成在所述像素的所述相变材料的热切换期间，所述像素的所述相变材料接收的热量主要包括在所述单个电子组件内产生的热量。

2.根据权利要求1所述的显示器，其中，每个像素被配置成在所述相变材料的热切换期间，在所述单个电子组件内比在所述像素内的其他地方产生的热量更多。

3.根据权利要求1或2所述的显示器，进一步包括：

行信号线和列信号线，被配置为通过经由对应于所述像素的所述行信号线对所述像素施加行控制信号以及经由对应于所述像素的所述列信号线对所述像素施加列控制信号的组合，使得能够对每个像素单独寻址；

其中，所述单个电子组件的第一端子直接连接到所述行信号线之一，所述单个电子组件的第二端子直接连接到所述列信号线之一。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示器，其中，每个像素的所述单个电子组件包括半导体装置。

5.根据权利要求4所述的显示器，其中，所述半导体装置包括有源开关。

6.根据权利要求4或5所述的显示器，其中，所述半导体装置包括薄膜晶体管。

7.根据权利要求6所述的显示器，其中，所述薄膜晶体管被配置为作为二极管工作。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的显示器，其中，在所述相变材料的热切换期间，在所述半导体装置内产生的热量主要是在所述薄膜晶体管的沟道内产生的。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的显示器，其中，所述单个电子组件包括阈值选择器，所述阈值选择器包括具有电阻的阈值材料，当阈值电流流经所述阈值材料时，所述电阻发生变化。

10.根据权利要求9所述的显示器，其中，所述阈值材料包括金属绝缘体转变材料。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的显示器，其中，在所述单个电子组件和所述相变材料元件之间设置有金属散热结构。

12.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述金属散热结构嵌入在平坦化层内。

13.根据权利要求12所述的显示器，其中，所述平坦化层是电绝缘的。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的显示器，其中，所述相变材料包括以下一种或多种材料：

钒的氧化物；

铌的氧化物；

包括Ge、Sb和Te的合金或化合物；

包括Ge和Te的合金或化合物；

包括Ge和Sb的合金或化合物；

包括Ga和Sb的合金或化合物；

包括Ag、In、Sb和Te的合金或化合物；

包括In和Sb的合金或化合物；

包括In、Sb和Te的合金或化合物；

包括In和Se的合金或化合物；

包括Sb和Te的合金或化合物；

包括Te、Ge、Sb和S的合金或化合物；

包括Ag，Sb和Se的合金或化合物；

包括Sb和Se的合金或化合物；

包括Ge、Sb、Mn和Sn的合金或化合物；

包括Ag、Sb和Te的合金或化合物；

包括Au、Sb和Te的合金或化合物；以及

包括Al和Sb的合金或化合物。