[发明专利]半导体元件的可靠性评价装置和半导体元件的可靠性评价方法

权利要求书

1.一种半导体元件的可靠性评价装置，具备：

直流电源，对至少一个试验对象的半导体元件施加直流电压；

电流检测部，检测包括所述至少一个试验对象的半导体元件的试验电路的漏电流；

测量器，记录所述漏电流的脉冲波形；以及

分析器，基于所记录的所述脉冲波形，对在所述试验电路中包括的所述至少一个试验对象的半导体元件的可靠性进行分析。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的可靠性评价装置，其中，

所述直流电源对并联连接的多个试验对象的半导体元件施加所述直流电压，

所述电流检测部检测所述多个试验对象的半导体元件的漏电流之和。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的可靠性评价装置，其中，

所述半导体元件的可靠性评价装置具备二极管，该二极管从所述直流电源向所述试验对象的半导体元件以正向连接。

4.根据权利要求1所述的半导体元件的可靠性评价装置，其中，

所述电流检测部包括电感成分。

5.根据权利要求1所述的半导体元件的可靠性评价装置，其中，

所述电流检测部具备电荷供给用电容器、限制电阻以及积分器。

6.根据权利要求2所述的半导体元件的可靠性评价装置，其中，

连接于所述电流检测部的所述多个试验对象的半导体元件的电容的合计值与所述直流电压之积小于因通过放射线产生的电荷而所述试验对象的半导体元件被破坏所需的电荷的阈值。

7.根据权利要求1所述的半导体元件的可靠性评价装置，其中，

所述电流检测部包括：第一电流检测器，检测包括一个或并联连接的多个试验对象的半导体元件的第一试验电路的漏电流；以及第二电流检测器，检测包括一个或并联连接的多个试验对象的半导体元件的第二试验电路的漏电流，

所述测量器记录由所述第一电流检测器检测的漏电流的第一脉冲波形和由所述第二电流检测器检测的漏电流的第二脉冲波形，

所述分析器基于所记录的所述第一脉冲波形，对在所述第一试验电路中包括的一个以上的试验对象的半导体元件的可靠性进行分析，基于所记录的所述第二脉冲波形，对在所述第二试验电路中包括的一个以上的试验对象的半导体元件的可靠性进行分析。

8.根据权利要求1所述的半导体元件的可靠性评价装置，其中，

所述分析器基于所述脉冲波形的大小，对在所述试验电路中包括的至少一个试验对象的半导体元件的可靠性进行分析。

9.根据权利要求1所述的半导体元件的可靠性评价装置，其中，

所述分析器基于所述脉冲波形的持续时间，对在所述试验电路中包括的至少一个试验对象的半导体元件的可靠性进行分析。

10.根据权利要求1所述的半导体元件的可靠性评价装置，其中，

所述分析器基于所述脉冲波形的产生频度，对在所述试验电路中包括的至少一个试验对象的半导体元件的可靠性进行分析。

11.根据权利要求1所述的半导体元件的可靠性评价装置，其中，

所述分析器基于通过所述脉冲波形的大小与所述脉冲波形的持续时间之积计算的电荷以及所述脉冲波形的产生频度，对在所述试验电路中包括的至少一个试验对象的半导体元件的可靠性进行分析。

12.根据权利要求1所述的半导体元件的可靠性评价装置，其中，

所述分析器基于所记录的所述多个脉冲波形的时间上的特征和关于参照用半导体元件的多个脉冲波形的时间上的特征，对在所述试验电路中包括的至少一个试验对象的半导体元件的可靠性进行评价。