[发明专利]包括具有经冷却的面板的喷头的衬底处理室

权利要求书

1.一种用于衬底处理室的喷头，所述喷头包含：

内壁；

内充气腔，其位于所述内壁之间；

面板，其具有第一表面与第二表面，所述第二表面与所述第一表面相反；

穿过所述面板的孔，其从所述第一表面延伸到所述第二表面；

第一入口，其与所述内充气腔流体地连接；

外壁；

第一外充气腔，其位于所述内壁与所述外壁之间；

第二外充气腔，其位于所述内壁与所述外壁之间；

冷却剂通道，其：

使所述第一外充气腔与所述第二外充气腔流体地连接；

设置在所述面板内且在所述第一与第二表面之间；并且

与所述孔流体地隔离；以及

第二入口，其与所述第一外充气腔流体地连接。

2.根据权利要求1所述的喷头，其中所述冷却剂通道穿过所述面板的方向垂直于所述孔穿过所述面板的第二方向。

3.根据权利要求1所述的喷头，其中所述喷头包含：

杆部分，其包含第一端和第二端，并且包含第一直径；以及

基座部分，其与所述杆部分的所述第二端连接，并且包含大于所述第一直径的第二直径。

4.根据权利要求1所述的喷头，其中所述冷却剂通道中的每一个与所述冷却剂通道中的其他的每一个平行。

5.根据权利要求1所述的喷头，其还包含出口，所述出口与所述第二外充气腔流体地连接。

6.根据权利要求1所述的喷头，其还包含分隔部件，其设置在所述内壁与所述外壁之间，并且将所述第一外充气腔与所述第二外充气腔流体地隔离。

7.根据权利要求1所述的喷头，其还包含第二孔，所述第二孔：

从所述第二表面延伸到所述冷却剂通道；并且

不延伸到所述第一表面。

8.根据权利要求7所述的喷头，其中所述第二孔与穿过所述面板的所述孔平行。

9.根据权利要求7所述的喷头，其中所述第二孔与穿过所述面板的所述孔流体地隔离。

10.一种处理系统，其包含：

所述衬底处理室；

根据权利要求1所述的喷头，其中所述喷头设置在所述衬底处理室内；

冷却剂组件，其设置成将冷却剂提供至所述第二入口；以及

温度控制器，其设置成在所述衬底处理室内的衬底上的膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)期间，控制所述冷却剂组件，以将所述冷却剂冷却至小于或等于预定温度。

11.根据权利要求10所述的处理系统，其中所述膜为氮化硅(SiN)。

12.根据权利要求11所述的处理系统，其还包含系统控制器，其设置成针对所述衬底上的所述膜的所述PECVD，使硅烷和包含氮的气体经由所述第一入口、所述内充气腔和所述孔流到所述衬底处理室内。

13.根据权利要求10所述的处理系统，其中所述系统控制器被设置成在所述喷头与所述衬底之间产生等离子体。

14.根据权利要求10所述的处理系统，其中所述温度控制器进一步设置成在从所述衬底处理室内清扫经由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)而沉积在衬底上的膜的期间，控制所述冷却剂组件，以将所述冷却剂冷却至小于或等于所述预定温度。

15.根据权利要求14所述的处理系统，其中所述膜为氮化硅(SiN)。