[发明专利]一种横向激励的薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种滤波器装置，包括：

一衬底；

一压电板，具有平行的正面和背面，所述背面附接到所述衬底上，和

导体图案，在所述正面上形成，所述导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中

所述多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在与所述衬底中形成的一个或多个空腔上；

所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器，且

设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。

2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其特征在于，所述多个IDT中的全部IDT被配置为响应于施加到每个IDT的相应的射频信号来激励所述压电板中的剪切声波。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述压电板的正面和背面之间的厚度大于或等于200nm且小于或等于1000nm。

4.根据权利要求1所述的滤波器装置，其特征在于，在所述衬底中形成的所述一个或多个空腔是所述多个IDT中的每一个IDT的相应空腔。

5.根据权利要求1所述的滤波器装置，其特征在于，所述多个IDT中的每个IDT的各自间距大于或等于所述压电板的厚度的2倍且小于或等于所述压电板的厚度的25倍。

6.根据权利要求14所述的滤波器装置，其特征在于，

所述第二厚度大于或等于0，并且

所述第一厚度小于或等于500nm。

7.根据权利要求1所述的滤波器装置，其特征在于，

所述多个谐振器包括两个或更多个并联谐振器，并且

所述第一介电层设置在两个或更多个并联谐振器的所有谐振器的指状物之间的正面上。

8.根据权利要求1所述的滤波器装置，其特征在于

所述多个谐振器包括两个或更多个串联谐振器，并且

所述第二介电层设置在两个或更多个所述串联谐振器的所有谐振器的指状物之间的正面上。

9.根据权利要求1所述的滤波器装置，其特征在于，

所述并联谐振器的谐振频率至少部分地由所述第一厚度设定，并且

所述串联谐振器的谐振频率至少部分地由所述第二厚度设定。

10.根据权利要求9所述的滤波器装置，其特征在于，

所述第一厚度和所述第二厚度之间的差足以将所述并联谐振器的谐振频率设置为比所述串联谐振器的谐振频率低至少140MHz。

11.根据权利要求1所述的滤波器装置，其特征在于

所述第一介电层和所述第二介电层是SiO2，并且

所述第一厚度与所述第二厚度之差大于或等于30nm。

12.根据权利要求1所述的滤波器装置，其特征在于，

所述压电板的z轴与所述正面和所述背面垂直。

13.根据权利要求12所述的滤波器装置，其特征在于，

所述多个IDT中的所有IDT都被定向为使得IDT的指状物平行于所述压电板的x轴。